1. 半导体中自由电子有限,其界面双层结构与金属电极双电层完全不同。半导体载流子浓度低表面没有局域表面电荷,界面区大部分电位降位于半导体内部只有一少部分电压降位于溶液侧; 2. 半导体和电解质接触时,两相中费米能及达到平衡。n型半导体来说,比溶液中能级略高,电子从半导体向溶液相流动; 5.5.3 半导体/电解质双电层界面电位和电荷分布 3. 界面区电荷层实际厚度取决于体系特定条件,掺杂浓度,电解质浓度和偏压。吸附和缺陷的表面态决定耗尽层中电荷分布。 4. 金属表面氧化物多为半导体结构,如钝化膜。致密氧化膜。 5. 空间电荷层的电位分布和电荷分布及其与电容的关系。 等效电路中包括了空间电荷层、Helmhotz层表面态和溶液电阻影响半导体/电解质界面的参数;外加电位以电子、空穴和离子电荷在电荷层中发生移动,可通过电荷层电容来描述。 电位变化:?E=?ESC+?EH 电中性条件:Qsol=QSC+QSS 电容关系 5.5.4 半导体/溶液界面的等效电路和电容 5.5.5 Mott-Schottky 曲线研究钝化膜性质 钝化膜具有半导体结构,与溶液相发生电子移出电荷转移时在不同的电位范围形成三种空间电荷层:缺少多数载流子的耗尽层,富集多数载流子的富集层和过分取出多数载流子的反型层。 ESC/sol=?ESC+?Edl ;总电容C为Cdl和CSC串联; 测定频率较高时,?
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