清华模电演示课件第1章节.pptVIP

1.3.4 晶体管的主要参数 一、直流参数 当uDS=0时，不会产生多子的定向移动，所 以漏极电流iD=0。 若uDS0,则有电流iD,如图1.4.4（a）所示。 因为栅—漏电压uGD=uGS-uDS，所以当uDS从零逐渐增大时，uGD逐渐减小,靠近漏极一边的沟道变窄，到UGD=UGS(off)时称为预夹断。如图（b）所示。在预夹断前，iD随uDS的增大而增大，D-S间呈电阻特性。 预夹断后，若uDS继续增加，则uGD夹断区加长，如图（c）所示。夹断区加长将使iD减小，但uDS增大使电场增强，从而又使iD增大，所以导致iD基本不变，呈恒流特性。 在图1.3.3中，△uI为输入电压信号，它接入基—射回路（输入回路）；放大后的信号在集—射回路（输出回路）。发射极是两个回路的公共端，故称其为共射放大电路。为保证发射结正向偏置、集电结反向偏置以使晶体管工作在放大状态。所以要加VBB和VCC。 一、晶体管内部 载流子的运动 图1..4 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在图1.3.3中△uI=0时，晶体管内部载流子运动示 意图如图1.3.4所示。 1、发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE； 2、扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基 极电流IB； 3、集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流 IC。 二、晶体管的电流分配关系 IEN: 发射区向基区扩散所形成的电子电流； IEP: 基区向发射区扩散所形成的空穴电流； IBN: 基区内复合运动所形成的电流； ICN: 基区内非平衡少子（发射区扩散到基区但未被 复合的自由电子）漂移到集电区所形成的电流； Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ICBO:平衡少子在集电区与基区之间漂移运动所 形成的电流。 IE = IEN + IEP = ICN + IBN + IEP IC = ICN + ICBO IB = IBN + IEP－ICBO = I’B－ICBO 从外部看 IE=IC+IB 三、晶体管的共射电流放大系数 共射直流电流放大系数 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 整理可得 上式中ICEO称为穿透电流，物理意义为当基极 开路（IB=0）时,在VCC作用下c和e之间形成的电流。 ICBO是e开路时集电结的反向饱和电流。一般情况， IB≥ICBO， ，所以 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在图1.3.3中，当有输入电压△uI作用时，在IB和IC 基础上将迭加动态电流△iB和△iC， △iC和△iB之比为 共射交流电流放大系数β 若在△uI作用下β基本不变，则集电极电流 因而 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 当以发射极电流作为输入电流，以集电极电流 作为输出电流时，ICN与IE之比称为共基直流电流 放大系数 根据 IC=ICN+ICBO 可得 由 IE=IC+IB 可得 或 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspos