第二章智能微系统的制造技术190.pptVIP

近年来，在半导体微加工技术基础上发展起来的表面MEMS加工技术，以及其它具有高深宽比的MEMS加工技术得到了迅速发展。如：硅材料体MEMS加工技术； LIGA技术； 激光加工技术； 超精密加工技术等。 下面以氢氧化钾水溶液对硅的各向异性刻蚀为例，说明硅的各向异性刻蚀原理。硅在氢氧化钾水溶液中的反应非常简单，反应按下式进行： Si + H2O + 2KOH = K2SiO3 + 2H2 反应生成物是可溶性硅酸钾K2SiO3，因此浸没在氢氧化钾水溶液中硅片表面原子将不断向水溶液溶解，从而产生了硅的刻蚀。 如图2－22所示硅晶体具有金刚石结构，硅晶体在不同的表面显露时，其表面原子悬挂键数量是不同的，即显露在外表面不同晶面上的原子和内层原子的结合力是不同的，因此不同晶面原子在溶液中的刻蚀速率也不同。 图2－22 硅的晶体原子键结构图 三、键合技术 作为微系统三维加工技术除上述除去式（硅各向异性刻蚀、精密机械加工、激光加工等）加工方法以外，还有结合式的加工方法，即将用各种微加工方法加工出来的微结构相互结合在一起形成一个具有优良性能的微结构器件。 基板和器件以及基板之间的结合称为键合。 键合的方法较多，有胶结（如环氧等有机材料）、低温玻璃键合、共晶键合、直接键合、静电（阳极）键合等，其中直接键合和静电键合方法不会造成变形，利于保证微器件的尺寸精度，所以这两种键合方法是微机械加工中最重要的键合方法，典型的方法如下图所示。 图2－31 基板键合方法示意图 ? 共晶键合 1．直接键合 直接键合又称熔合键合，它是硅与硅或有氧化膜硅片之间的键合，中间无需添加任何粘结剂，也无需外加电场。基本的工艺过程为：(1) 首先对硅片表面进行活化处理，形成亲水表面，提高表面氢氧基的密度。(2) 硅片经等离子水冲洗后烘干，在室温下将两硅片面对面贴在一起。(3) 将贴好的硅片放在高温炉中加热至1000~1273K，在O2或N2的气氛中进行高温处理数小时（绝对温度等于摄氏温度加273）。 键合原理 由于界面处的硅原子在范德瓦尔斯力和氢氧基团的氢键的作用，使两硅片粘附在一起。 当硅片表面的氧化膜完全被去除时，可以在比较低的温度（450K左右）进行键合，这时键合的硅片就具有了足够的结合强度。 这种键合非常稳定，并且不随时间改变。 特点： （1）实现了无中间层的键合，因此不会产生任何应力。 （2）对硅片表面的平整度、沾污和尘埃特别敏感。 （3）有机物的沾污会在热处理时释放气体，形成空洞。 （4）键合面在尘埃周围存在一个圆形未键合的区域，所以在清洗、干燥以及整个操作过程中必须十分注意避免尘埃对硅片表面的沾污。 2．静电键合 静电键合又称为阳极键合，这种方法适合于硅片和富钠玻璃基板之间键合。 采用与硅膨胀系数（3.2×10－6/℃）相近的Pyrex玻璃与硅重叠，加热至573 - 773K，在玻璃一侧附加500 - 1000V的负高压，并附加一定的压力，在保持一定时间后，即完成玻璃和硅之间的键合。 3．低温玻璃键合 由于静电键合时硅片和玻璃的界面上存在很强的电场，这可能对电子电路产生损伤。为了避免电场对器件的损伤，在键合时应避免施加电压。 低温玻璃键合是将低温玻璃涂敷在键合的面上，再与要键合的基板叠在一起，附加一定的压力和温度使它们键合在一起。 低温玻璃键合一般是把玻璃加热到熔融状态，并附加一定的压力使玻璃发生塑性变形，从而使硅片牢固地结合在一起。 湿法腐蚀的工艺和设备简单、刻蚀速率快、生产效率高，是主要的刻蚀手段。但由于湿法刻蚀完全是化学作用，易于发生钻蚀，所以刻蚀的分辨率不高，线条不陡直，但薄膜较薄时影响不太大。 将双层材料放在某种刻蚀剂中，如下层材料易被腐蚀，这也称为钻蚀，在表面微机械加工中牺牲层就是利用这种钻蚀方法进行加工的。 湿法刻蚀腐蚀液大多具有强腐蚀性或含有有毒的物质，使用时应注意安全生产和环境保护。 在半导体微机械加工中常用的腐蚀剂如下表所示。 （2）干法刻蚀 干法刻蚀也是微电子工艺中制作图形的常用方法。它是通过气体分子与样品表面的原子进行物理作用、化学作用或物理化学作用从而实现刻蚀的功能。 与湿法腐蚀的工艺相比，此工艺可以加工更细的微结构。 因为在湿法工艺中，腐蚀一般是各向同性的，在结构的每一