第1章-常用半导体器件导论.pptVIP

从以上分析可知，对于NPN型三极管： 集电极电流和基极电流是流入三极管， 发射极电流是流出三极管， 流进的电流等于流出的电流。 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。 若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。 4． 三极管的电流分配关系 对高质量的三极管，通常希望：发射区的绝大多数自由电子能够到达集电区，即ICN在IE中占有尽可能大的比例。 为了衡量集电极电子电流ICN所占发射极电流IE的比例大小，一般将ICN和IE的比值定义为共基直流电流放大系数，记作 ，即 （1-10） 将式(1-10)代入式（1-8）可得 （1-11） 当ICBOIC时，可将ICBO忽略，则： （1-12） 将式（1-9）代入式（1-11），即得 （1-13） 令 （1-14） 称为共射直流电流放大系数。将式(1-14)代入式(1 – 13)，可得 （1-15） 上式中：(1+β)ICBO是基极开路（IB=0）时，流经集电极与发射极之间的 电流，称为穿透电流，用ICEO表示，即: （1