第3章工艺中的气体、化试、水、环境和硅片的清洗重点.ppt

在美国FS 209E标准虽在2001年年终被废除，实施ISO 14644-1标准，但在中国的很多净化公司仍然在用FS 209E标准；把FS 209E标准与ISO 14644-1标准作比较。如十万级对应ISO 8级，万级对应ISO 7级，千级对应ISO 6级，百级对应ISO 5级。 * * Zeta * 深度型过滤器 出口 过滤器媒介 入口 屏蔽 适用于大约 1.5微米 以上颗粒的深度型过滤。 膜过滤器 出口 膜 入口 密封 膜过滤：聚合物薄膜或带有细小渗透孔的陶瓷作为过滤器媒质。只允许特定尺寸的物质通过。 膜过滤可以用在反渗透、微过滤和超过滤中。 对过滤器的两点要求 不会对流量产生明显的衰减 足够的效率 在ULSI中的液体过滤器，对 于0.2um以上的颗粒 典型效率是99.9999999％，称为9个9的效率。 半导体制造设备是颗粒的最大来源。为了制 造一个硅片，可能需要450多道工序。 工艺设备中各种颗粒沾污来源 剥落的副产物积累在腔壁上 自动化的硅片装卸和传送 机械操作，如旋转手柄和开关阀门 真空环境的抽取和排放 清洗和维护过程 硅片表面的颗粒数与工艺步骤数之间的函数关系 清洗 清洗 清洗 清洗 工艺步骤数 颗粒数 工作台的设计 采用适当的材料设计工作台，获得超洁净的净 化室是必要的。 颗粒释放率 穿壁式装置 生产区 Class