ch2_异质结和MQW,SL讲义.pdfVIP

第一部分 半导体器件 第一章 pn结二极管 第二章 异质结二极管（量子阱、超晶格） 第三章 金属-半导体肖特基二极管（包括欧姆接 触和肖特基接触） 1 郑 新 和 第二章 半导体异质结与量子阱、超晶格 2.1 半导体异质结 2.2 量子阱、超晶格 2 2.1 半导体异质结(Semiconductor Heterojunction) (1)异质结基本要求 ?不同半导体材料：一般是窄带隙和宽带隙 3 4? 异质突变结：带隙由一种半导体直接变为另一种半导体，如 Ge/GaAs等 ? 异质缓变结：两种半导体的带隙连续变化形成，如GaAs/Al1- xGaxAs异质结等 ? 晶格常数匹配。如不匹配，将形成缺陷和界面态。 问题：异质结的突变结、缓变结与pn结中突变结、缓变结有什么区别？ (2)异质结能带图(band alignment) ? 构成异质结的两种半导体材料具有不同的带隙宽度Eg、电子亲和势?、 电离能?和功函数W，而结的电学特性强烈地依赖于这些参数。 ? 根据?和Eg的相对值，窄带隙和宽带隙形成的异质结有三种类型： (a)跨骑型或I型，straddling; (b)交错型或II型，staggered; (c)错开型 或III型，broken。其中I型从技术上讲最为重要。 5 ? 为描述方便，将宽带隙半导体用掺杂类型的大写字母(如P、 N)表示，反之用小写字母(如p、n)等。 ? 掺杂类型相同的称为同型异质结(Nn和Pp)、相反的称为反 型异质结(Np和Pn)。 Pn反型异质结 6 ? 电子亲和势模型(EAM)或准则 假设条件： ? 半导体材料参数直到冶金结处都不变； ? 半导体材料的晶格常数相近或相等； ? 真空能级连续； 异质结能带图由两种半导体材料的亲和能、电离能或带隙决定，如 对跨骑型异质结 导带底能量差(?不同)： 价带顶能量差(?不同)： 7 12 - ???? cE 12v - ????E gv E????? EEc 三种异质结类型的电子亲和势差异 注意：电子亲和势模型有 时并不十分正确，依此获 得的导带底差值与实验有 较大出入。因此，?Ec往往 由实验确定。 8 接触后，载流子传输也通过扩散实现，类似同质结的分析。 a) Pn反型异质结 平衡时，根据电子亲和势模型和异质结接触时任一给定的材料?、?和 Eg都是常数，可以画出能带图。 问题：在连接处，导带和价带有什么特点？ 9 ? 导带或价带出现势能尖峰或凹谷 Pn异质结 异质结类型？ ? 尖峰或凹谷的具体形状取决于半导体材料的种类和掺杂水平； ? 凹谷或势阱：陷住载流子，提高器件性能。如在激光器中，利用势阱 将载流子局限在导带中，增大受激发射的几率。 10 11 The Nobel Prize in Physics 2000 Zhores I. Alferov Herbert Kroemer Jack S. Kilby (1930-) (1928-2013) (1923-2005) The Nobel Prize in Physics 2000 was awarded for basic work on information and communication technology with one half jointly to Zhores I. Alferov and Herbert Kroemer for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics and the other half to Jack S. Kilby for his part in the invention of the integrated circuit. ? 内建电势Vbi ?? ? ? ?? ? ? ?? 2 22 ln c D cf N N kTEE ?? ? ? ?? ? ? ?? 1 11 ln v A fv N N kTEE ?? ? ? ?? ? ? ??? 12 c2v1 ln vc DA bi NN NN kTEEqV 又根据 ?? ? ? ?? ? ? ??? 12 2 ln-- vc DA vg NN NN kTEE ?? ? ? ?? ? ? ???? 12 1 ln- vc DA cgbi NN NN kTEEqV 12 111 gvc EEE ?? 与耗尽区宽度有什么关系？ 13 ? 静电势分布 nxx ??0 2 2 22 )( p s A n s D x qNx xx qN x ?? ?