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《半浮栅器件技术和应用前景》讲座 讲座主题：《半浮栅器件技术和应用前景》 讲座时间：2013 年 9 月 5 日 讲座地点：中芯国际上海公司 讲座内容[摘要]： 2013 年 8 月 9 日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体 管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，复旦大学微电子学院副院长、国家 02 重大专项 总体组专家张卫教授领衔的科研团队研制出一种新型的微电子器件 ---半浮栅晶体管 (SFGT)，可让数据擦写更容易、速度更快，操作电压更低，为设计低功耗芯片奠定了基础。 相关研究成果刊登于 8 月 8 日出版的《科学》杂志上。这是我国科学家首次在该权威杂志发 表微电子器件领域的研究成果，而意义更大的是，这种新型晶体管将有助于我国掌握集成电 路的核心技术。 半浮栅晶体管巧妙地把隧穿晶体管(TFET)和浮栅晶体管相结合，构成了一种全新的“半浮栅” 结构的器件，称为半浮栅晶体管(SFGT)。这种晶体管的“数据”擦写更加容易、迅速，而 且整个过程都可以在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。 半浮栅晶体管在 CPU 的高速缓存(Cache)、DRAM 和 CMOS 图像传感器等领域有很好的应 用前景，且优势明显。比如 CPU 的高速缓存，现在通常采用 6 个 MOS 晶体管构成一个存 储单元(SRAM)，集成度低，占用面积大。在 28nm 英特尔 XeonCPU 中约一半的面积被迫交 给缓存占用，极大地浪费了资源。如果采用复旦大学发明的半浮栅晶体管设计缓存电路，则 单个晶体管即可构成一个存储单元，速度与传统 6 个 MOS 晶体管的 SRAM 存储单元相当， 但缓存占用的面积可以缩减为原来的十分之一，且降低了功耗。半浮栅晶体管已成功在复旦 的实验室中和国内标准的 CMOS 生产线上成功制造出来。 半浮栅晶体管作为一种基础电子器件，它在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模预估 达到三百亿美元以上。它的成功研制有助于我国掌握集成电路的核心器件技术，是我国在新 型微电子器件技术研发上的一个里程碑。 讲师简介: 张卫教授，复旦大学微电子学系教授、博士生导师。1997 年起任教于复旦大学，1999 年晋 升为教授。现任复旦大学微电子学系系主任、复旦大学学术委员会委员、国家重大专项“极 大规模集成电路制造装备及成套工艺”总体专家组专家，是我国集成电路领域优秀的学科带 头人之一。先后获得教育部新世纪优秀人才、复旦大学优秀研究生导师、教育部科技奖励评 审专家、国家科技奖励评审专家等荣誉。长期从事集成电路工艺和半导体器件的研究。自 1992 年以来先后在 Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，Journal of Applied Physics 等国际期刊和会议上发表论文 180 多篇，申请专利 20 多项，合作出版学 术著作 1部。 王鹏飞教授分别于 1998 年和 2001 年获复旦大学学士和硕士学位，2003 年获得慕尼黑工业 大 学 博 士 学 位 。 在 攻 读 博 士 期 间 ， 他 首 次 成 功 地 制 造 了 互 补 隧 穿 晶 体 管 （Complementary-TFET），开辟了新的微电子技术领域，命名了当前微电子器件中非常热门 的“TFET”器件。王鹏飞教授 2004 年起在德国英飞凌科技有限公司工作，2009 年 6月加入 复旦大学。回国后他还发明并制造出了世界第一个介于浮栅 MOSFET 和普通 MOSFET 之间的半 浮栅器件“SFGT”，性能优异并具有广泛的潜在应用。王鹏飞教授发明的多种核心技术已被 大规模生产采用或实现技术转让，他目前拥有授权专利与专利申请 100 余项，发表论文 70 多篇。加盟复旦大学以来，王鹏飞教授已研发出 UTFET、GaN DH-HEMT、SFGT 和 TFET-RRAM 等先进器件及工艺。获得第 11届“上海 IT 青年十大新锐”殊荣。