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- 2017-04-01 发布于广东
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2004年秋季A.doc
哈工大 2004 年 秋 季学期
班号 姓名
集成电路设计原理 试 题 A
题号 一 二 三 四 五 总分 分数 典型PN结隔离集成电路工艺中用到的光刻掩膜版有哪些(按工艺流程先后顺序写出)?对于npn晶体管,埋层扩散和磷扩散有哪些作用?(20分)
第 1 页 (共 5 页)
试 题:集成电路设计原理A 班号: 姓名:
二、采用N阱硅栅双层金属标准CMOS工艺设计集成电路版图时用到的版图层次至少应有哪些(按工艺流程先后顺序写出)?硅栅自对准的作用是什么?nmos管的源漏区是由哪些层次版图数据确定的?(20分)
第 2 页 (共 5 页)试 题:集成电路设计原理A 班号: 姓名:
三、阐述在CMOS集成电路设计中,抗静电设计和抗闩锁设计的重要性?抗闩锁设计措施有哪些?(20分)
第 3 页 (共 5 页)试 题:集成电路设计原理A 班号: 姓名:
四、分析图4给出的电路,阐述各个器件的作用。(20分)
第 4 页 (共 5 页)试 题:集成电路设计原理A 班号: 姓名:
五、(20分)根据图5(a)~(d)四个逻辑电路图,
写出每个电路所属类型?(4分)
写出每个电路输出与输入间的逻辑表达式?(12分)
(2)写出每个电路输出端的输出高电平表达式?(4分)
第 5 页 (共 5 页)
图5(d)
图5(b)
图5(a)
图5(c)
图4
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