2004年秋季B.docVIP

哈工大 2004 年 秋 季学期 班号 姓名 集成电路设计原理 试 题 B 题号 一 二 三 四 五 总分 分数 (20分)典型PN结隔离集成电路工艺中用到的光刻掩膜版有：硼扩散、引线孔、埋层扩散、磷扩散、隔离扩散、钝化窗口、金属引线。 （1）请按工艺流程的先后顺序对它们进行排序。（4分） （2）硼扩散形成横向pnp晶体管的什么区？（4分） （3）对于横向pnp晶体管，埋层扩散和磷扩散分别有哪些作用？隔离区划分原则是什么？（12分） 第 1 页 （共 5 页） 试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 二、(20分)采用N阱硅栅CMOS工艺设计集成电路版图时用到的版图层次有：poly(多晶)，active(有源区)，contact(接触孔)，nwell(N阱)，pplus(P+注入)，metal1(金属1)，pad(钝化窗口)，metal2(金属2)，via(通孔)， （1）请按工艺流程的先后顺序对它们进行排序。（5分） （2）pmos管的源漏区是由哪些层次版图数据确定的？（8分） （3）哪个层次版图数据制作的掩膜版是用来进行局部氧化用的？局部氧化的作用是什么？（7分） 第 2 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 三、（20分）双极型集成电路、NMOS集成电路和CMOS集成电路中，哪种集成电路需要抗静电设计？哪种集成电路需要抗闩锁设计？举例说明抗静电保护电路原理？ 第 3 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 四、(20分) 分析图4给出的电路，阐述各个器件的作用。 第 4 页 （共 5 页）试 题：集成电路设计原理B 班号： 姓名： 五、(20分)根据图5（a）~（d）四个逻辑电路图， 写出每个电路所属类型？（4分） 写出每个电路输出与输入间的逻辑表达式？（12分） （2）写出每个电路输出端的输出高电平表达式？（4分） 第 5 页 （共 5 页） 图5（d） 图5（c） 图5（b） 图5（a） 图4