2006年春季B卷答案.docVIP

哈尔滨工业大学（威海） 2005 /2006 学年 春季学期 集成电路设计原理 试题卷（）答案 考试形式（开、闭卷）：闭 答题时间： 120 （分钟） 本卷面成绩占课程成绩 70 % 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 卷 面 总 分 平 时 成 绩 课 程 总 成 绩 分数 得分 一、简述题（40分） 1. 双极型pn结隔离工艺中的n+埋层有哪些作用？。 减小外延层电极的串联电阻，减小寄生PNP晶体管效应（加大了寄生PNP晶体管的有效基区宽度，形成了寄生PNP晶体管基区减速场）。 2. 在双极型集成电路版图设计中划分隔离区的原则是什么？ 以器件的外延层区为标准，处于外延层的电极相接的器件，可以放在同一个离去，否则单独放在一个隔离去，电阻根据电阻类型（结构）参照上述原则执行，使电阻之间电隔离。 3. 有比电路和无比电路有哪些差异？ 有比电路静态输出电平（高电平或低点平）与输出管和负载管的宽长比的比值有关，而无比电路静态输出电平（高电平或低点平）与输出管和负载管的宽长比的比值无关。 4. CMOS集成电路版图设计中抗闩锁的措施有哪些？ 阱和衬底的电源、地欧姆接触注入区要充分均匀分布，器件有源区边界远离阱的边界，必要时采用环或双环（伪收集极）结构。 5.设计MOS电流镜电路时，应注意什么问题？ 使器件都工作在饱和区，沟到长度尽量选择长一些，减小沟道长度调制效应影响，提高输出阻抗。 二、画出典型pn结隔离工艺双极型集成电路中的双基极双集电极npn晶体管的平面图（版图）和对应的剖面图，并按工艺流程先后顺序写出所需的光刻掩膜版名称，同时在图中对应图形上标明。（16分） （1）埋层扩散 （2）隔离扩散 （3）基区（硼）扩散 （4）发射区（磷）扩散 （5）引线孔 （6）金属 三、右图是一CMOS单元电路的版图，a) 画出对应的电路图；b) 分析电路功能，写出逻辑表达式；c) 按工艺流程的先后顺序，写图中所用到的光刻掩膜版名称，并在图中选择典型图形标明（16分） 异或非门 F=A(C (1)nwell (2)active (3)poly (4)pplus (5)cont (6)metal 四、分析右图所示CMOS运放电路，①说明M1和M2的作用；②说明M5和Rr的作用；③说明M5、M6和M8的作用。（12分） M1、M2以镜像电流源方式作为差分放大级M3、M4的有源负载，提高增益，同时完成了单端化。 M5、Rr， 作为偏置电路形成参考电流Ir M5、M6和M8构成镜像电流源，M6为差分放大级提供稳定的工作电流，提高共模抑制比，M8作为输出放大级有源负载，提高增益。I2=I1，I3=2I1 五、分析下面电路的功能，并写出各输出端的逻辑表达式。（16分） CMOS全加器电路， CA（进位）输出表达式，SU（和）输出表 (5) (3) F=ABC F=ABC (1) (2) (5) (3) (6) (4) B C N+(4) C B E P_sub N_epi P (3) N+(4) N+(4) P+ （2） ? ? P+ （2） ? ? N+（1） （4） （3） （1） （5） （6） （2）