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快速扩散与丝网印刷制备多晶硅太阳电池 陶龙忠 沈辉 中山大学太阳能系统研究所 2008.06.07 国家高技术研究发展计划-863计划（2006AA05Z409） 提 纲 太阳电池产业化发展 连续式快速扩散设备的介绍 方块电阻与扩散温度和扩散时间的关系 快速扩散对方块电阻均匀性的影响 快速扩散形成的p－n结 快速扩散对少子寿命的影响 与丝网印刷结合制备多晶硅太阳电池及性能分析 图1 近年来太阳电池的发展状况（来源于Photon杂志，2008年4月） 1. 太阳电池产业化发展 图3 从1999年至2007年不同种类的太阳电池产量百分比（来源于Photon杂志，2008年4月） 图2 2007年（2006年）全球太阳电池产量分布（来源于Photon杂志，2008年4月） 从技术上说，国内的扩散工艺基本上全部采用常规管式扩散，扩散时间长，是整个生产工艺中的瓶颈，并且难以和后继工艺形成连续化生产线。国外研究机构非常重视快速扩散制备太阳电池的研究，并且成功将硅片的清洗腐蚀、扩散、沉积氮化硅薄膜、丝网印刷和烧结这些工艺完全整合成一条连续生产线，促进了规模化和产业化。目前，德国一些太阳电池企业已经开始定购这样的设备，采用连续式快速扩散炉来代替常规管式扩散炉，台时产量可达5600片。 图4 连续式快速扩散炉的截面图 2. 连续式快速扩散设备的介绍 图5 陶瓷绳传送带 扩散方式 进片 方式 加热 方式 传热 方式 围壁 温度 升、降 温速率 工艺 时间 扩散室洁 净程度 操作 与其它设备 配合情况 连续式快 速扩散 连续 卤钨灯 辐射 冷壁 很大 短 好 简便 可形成连续 式生产线 管式扩散 间断 电阻丝 辐射、 传导、 对流 热壁 很小 长 一般 复杂 难以形成连 续式生产线 表1 连续式快速扩散与常规管式扩散的比较 试验采用Deutsche Solar的多晶硅片 参数为：156 mm×156mm，240±40μm，P/boron， 0.5~2.0 ohm·cm。 利用旋转涂源法进行涂源掺杂，掺杂液为磷酸溶液。将掺杂液中磷酸的含量提高到20％以上，可以保证快速扩散方式为恒定源扩散。 对于连续式快速扩散，只需要调整扩散温度和扩散时间两个参数，就可得到确定的方块电阻值。 3. 方块电阻与扩散温度和扩散时间的关系 图6 方块电阻与扩散时间的关系 图7 方块电阻与扩散温度的关系 图7 扩散时间为300s时方块电阻与扩散温度的关系 尽管这种掺杂方式可得到极为均匀的p－n结，但显而易见，对于工业化生产，单片旋转涂源法无法满足大规模生产化要求。为此，我们改进了掺杂源和其它工艺，可以成批进行涂膜但又能保证均匀性，有望很快就能应用于实际生产中。 图 4 方块电阻的均匀性 4. 快速扩散对方块电阻均匀性的影响 5. 快速扩散形成的p－n结 图4－10 采用霍尔测试仪和二次离子质谱仪测试的P杂质分布情况 6. 扩散温度对多晶硅少子寿命的影响 图5 在相同的扩散时间下不同的扩散温度对多晶硅片少子寿命的影响 (a)多晶硅片 (b)初始少子寿命（ 13.1μs） （c）860℃/300s（48.0μs） （d）850℃/300s（52.3μs） （e）840℃/300s（53.5μs） （f）830℃/300s（58.2μs） 7. 与丝网印刷结合制备太阳电池 采用两种规格和来源的多晶硅片制备多晶硅太阳电池： （1）156 mm×156mm，240±40μm，P/boron，0.5~2.0 ohm·cm，Deutsche Solar （2）125 mm×125mm，300±40μm，P/boron，0.5~3.0 ohm·cm，Solar world 制备工艺如下： 碱腐蚀去除硅片损伤层 涂膜掺杂 扩散(方块电阻为50±2 ohm/sq) 去除磷硅玻璃 沉积氮化硅薄膜 丝网印刷电极及烧结 激光去边结 测试 表2 标准条件下测试的5寸、6寸多晶硅光面电池性能参数 硅片尺寸 数值 Jsc (mA/cm2) Voc (mV) FF (%) Eff. (%) 5寸 平均值 32.44 614.0 78.2 15.6 最高值 32.55 616.1 78.5 15.8 6寸 平均值 32.33 613.5 77.0 15.3 最高值 32.51 615.3 77.6 15.5 图7 5寸光面多晶硅太阳电池最高效率IV曲线 图8 6寸光面多晶硅太阳电池最高效率IV曲线 图9 LBIC对6寸多晶硅太