第5章金属和半导体的接触2011例析.ppt

第五章 金属和半导体的接触 5.1金属?半导体接触及其平衡态 5.1.1 金属和半导体的功函数 5.1.2 有功函数差的金-半接触 5.1.3 表面态对接触电势差的影响 5.1.4 欧姆接触 5.2 金属?半导体接触的非平衡状态 5.2.1 不同偏置状态下的肖特基势垒 5.2.2 正偏肖特基势垒区中的费米能级 5.2.3 厚势垒区金属?半导体接触的伏安特性 5.2.4 薄势垒区金属?半导体接触的伏安特性 5.2.5 金?半接触的少子注入问题 5.2.6 非平衡态肖特基势垒接触的特点及其应用 金属－半导体接触 金－半接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一，并且最早付诸应用： 1874年，德国物理学家布劳恩发现金属探针与PbS和FeS2晶体的接触具有不对称的伏安特性； 1876年，英国物理学家亚当斯发现光照能使金属探针与Se的点接触产生电动势； 1883年，福里茨发现金属探针与Se的点接触的整流特性； 金属－半导体接触 1904年，美国电气工程师鲍斯获得Si和PbS点接触整流器的专利权 1906年，美国电气工程师皮卡德获得点接触晶体检波器的专利权，这种器件是晶体检波接收机（即矿石收音机）的关键部件； 1920年，硒（Se）金－半接触整流器投入应用； 1926年，Cu2O点接触整流二极管问世，并在二战中应用于雷达检波。 第五章 金属和半导体的接触 5.1金属?半导体接触及其平衡态 5.1.1 金属和半导体的功函数 5.1.2 有功函数差的金-半接触 5.1.3 表面态对接触电势差的影响 5.1.4 欧姆接触 5.2 金属?半导体接触的非平衡状态 5.2.1 不同偏置状态下的肖特基势垒 5.2.2 正偏肖特基势垒区中的费米能级 5.2.3 厚势垒区金属?半导体接触的伏安特性 5.2.4 薄势垒区金属?半导体接触的伏安特性 5.2.5 金?半接触的少子注入问题 5.2.6 非平衡态肖特基势垒接触的特点及其应用 5.1.1 金属和半导体的功函数 1、金属的功函数 2、半导体的功函数 金属的功函数:真空能级E0与金属费米能级 EFm能量之差Wm= E0 – EFm 几种常见元素的功函数（eV） 半导体的功函数类似定义为真空能级E0与半导体费米能级EFs能量之差Ws= E0 – EFs 半导体的功函数WS是杂质浓度的函数，而不像金属那样基本为一常数。 半导体的功函数与杂质浓度的关系 半导体的功函数与杂质浓度的关系 几种半导体的电子亲和能及其在不同掺杂浓度下的功函数计算值 5.1.2 有功函数差的金－半接触 1、金属－n型半导体接触 1) WM＞WS 2) WM＜WS 2、金属－p型半导体接触 1) WM＞WS 2) WM＜WS 3、肖特基势垒接触 1、金属与n型半导体的接触 1) WM＞WS 1、金属与n型半导体的接触 接触电势差与阻挡层 2) WM＜WS的情况 2、金属与p型半导体的接触 1）WM＜WS时，能带向下弯曲成为空穴势 垒，p型阻挡层。 2）WM＞WS时，能带向上弯曲，形成p型反 阻挡层； 肖特基势垒接触与阻挡层 金属与n型半导体接触: WM＞WS 金属与p型半导体接触: WMWS 3、肖特基(势垒)接触 5.1.3 表面态对接触电势差的影响 1) 金属与半导体的接触势垒 表面态 分布于半导体表面禁带之中的电子态； 表面态分为施主型和受主型； 在表面态能级中存在一个距离EV约1/3禁带宽度的特征能级q?0 ; 在q?0以下的表面态基本被电子占满；而q?0以上的能级基本空着，与金属的费米能级类似。 2) 表面态对半导体功函数的影响 b)、表面态改变了半导体的功函数 3) 表面态对接触势垒的影响 b)表面态密度很高时-势垒钉扎 b)表面态密度很高时-势垒钉扎 表面态对金－半接触的影响 小结 表面态改变了半导体的功函数 表面态使金-半接触的势垒高度不等于功函数差 高表面态密度的半导体可以屏蔽金属接触的影响 本节内容小结 1、半导体的功函数 2、阻挡层的形成 3、表面态对金－半接触的影响 2、阻挡层的形成 金属－n型半导体接触 WM＞WS 3 表面态对金－半接触的影响 表面态改变了半导体的功函数，使金-半接触的势垒高度不等于功函数差 高表面态密度的半导体可以屏蔽金属接触的影响 如果用表面态密度很高的半导体与金属相接触，由于半导体表面释放和接纳电子的能力很强，整个金属－半导体系统费米能级的调整主要在金属和半导体表面之间进行。这样，无论金属和半导体之间功函数差别如何，由表面态产生的半导体表面势垒区几乎不会发生什么变化。平衡时，金属的费米能级与半导体的费米能级被钉扎在EFS0附近。这就是说，当半导体的表面态