一位ALU刘洋.docVIP

《集成电路设计实践》报告 题目：1位ALU运算单元设计 院系：自动化与信息工程学院 专业班级：微电112 学生学号：3110433038 学生姓名：刘洋 指导老师姓名：戴力 称： 起止时间：2015.1.5—2015.1.14 成绩： 一、设计任务 （1） 根据1位ALU运算单元所需完成的功能， 给出电路图设计，完成1位ALU运算单元由电路图到晶体管级的转化； （2）绘制原理图，完成电路特性模拟，给出该寄存器的建立和保持时间； （3）遵循设计规则完成晶体管级电路图的版图，流程如下： 版图布局规划——基本单元绘制——功能块的绘制——布线规划——总体版图； （4）版图检查与验证； （5）针对自己画的版图，给出实现该电路的工艺流程图。 二、电路设计方案的确定 算数逻辑单元是指既能进行算术运算，又能进行逻辑运算的单元。下面分别介绍基于传输门逻辑和静态CMOS逻辑门的两种算术逻辑单元电路。 方案一: 采用传输门电路可以构成算术逻辑单元，主要是以传输门为主体的一个算术逻辑单元，根据传输门逻辑，可以写出此电路的逻辑表达式 若将式中的K4-K1作为控制信号，A,B作为输入信号可根据上式列出对应的真值表，在该电路中仅需12个传输管就可跟据K4-K1不同的输入控制状态实现16种不同的逻辑功能。 传输门的多功能发生器 传输门多功能发生器真值表 方案二： 采用静态逻辑门电路亦可构成算数逻辑单元，运用不同的逻辑组合构成算数逻辑单元。 但是此方案需要30个管子，数量庞大。 两种方案相比较，方案一这种电路具有节省管子，结构简单的优点，且该类电路的版图形状规则，占用面积小，尽管存在阈值损失，但加一个电荷保持电路即可。总共就17个管子，远小于方案二的数量。因此第一种方案比较好。 三、电路特性仿真及分析 打开S-Edit程序，S-Edit会自动将工作文件命名为File0.sdb并显示在窗口的标题栏上。 ?另存新文件：选择File—Save?As命令，打开“另存为”对话框，在“保存在”下拉列表中选择保存的目录，在“文件名”文本框中输入新文件的名称 加入输入端口与输出端口：利用S-Edit?提供的输入端口按钮与输出端口按钮，标明此1位ALU运算单元的输入输出信号的位置与名称，在这里要分别建立A，B输入，K1，K2，K3，K4这4个控制信号及Y，1个输出端口。注意，符号的输入输出端口的名称要与电路输入输出端口的名称相同，大小写亦须一致。 电路模拟图 电路网表及输入信号 电路仿真结果 仿真得到的电路特性曲线 根据仿真得到的电路特性曲线与前面设计时的电路要求对比可知：所模拟的电路符合设计的ALU电路要求，且能实现ALU的功能。故所模拟的电路可以使用。 四、版图的布局规划及基本单元的设计 ALU的版图 根据前面设计的模拟电路可知：要做出一个基本的ALU，需要4个pmos和13个nmos结构。由电路中各管子器件的链接可以看出，有的管子的栅极链接在一起，有的是源级链接。故而可以在设计时，使某些管子共用一个栅极或源级。制作版图时使用的是L-Edit软件，才用0.35um工艺制造。在制作版图时需要注意：所有光刻孔的几何尺寸都必须大于或等于最小距离。 五、电路制造的工艺流程图 Pmos：选择衬底—P阱光刻—光刻有源区—光刻多晶硅—P+区光刻—N+区光刻—光刻接触孔—光刻铝线 Nmos制造工艺与上述基本相同，按版图 做出Nmos和Pmos后，用刻上金属线将其按版图链接起来。然后做钝化和封装处理。 选择衬底； 光刻有源区：???1）生长二氧化硅层；?2）涂光刻胶；?3）掩膜对准；?4）曝光显影；?5）腐蚀去胶； 3.光刻多晶硅：? 1）外延生长栅极薄氧化层；???2）淀积多晶硅；???3）涂胶光刻多晶硅；? 源漏区掺杂：???1）源漏区光刻；???2）源漏区掺入P+离子；???3）去胶；? 光刻接触孔：???1）淀积PSG；???2）光刻接触孔；???3）刻蚀接触孔；???4）去胶；? 光刻铝线：???1）淀积铝；?2）光刻铝；3）去胶； 刻钝化铝。 六、总结 经过两周的学习与设计，终于完成了这次算术逻辑单元ALU的设计，在第一周，我们主要学习了实用软件及画原理图，并对原理图进行运行。刚开始拿到题目时感觉很困难，无从下手，经过学长们的细心指导终于有点眉目。在第二周我们开始画版图，在这期间我们遇到的困难比较多，首先是尺寸问题，还有线与线的间距，线宽，光刻孔与栅极的距离等等一系列的问题。其