具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构.pdfVIP

物 理 学 报 Acta Phys．Sin． Vo1．63，No．23(2014) 237305 具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅 高压器件新结构冰 石艳梅1)2)t 刘继芝3) 姚素英 ) 丁燕红2) 张卫华2) 代红丽2) 1)(天津大学电子信息工程学院，天津 300072) 2)(天津理工大学电子信息工程学院，天津 300384) 3)(电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054) (2014年 6月30日收到；2014年7月28日收到修改稿 ) 为了提高小尺寸绝缘体上硅 (S0I)器件的击穿电压，同时降低器件比导通电阻，提出了一种具有L型源 极场板的双槽SOI高压器件新结构．该结构具有如下特征：首先，采用了槽栅结构，使电流纵向传导面积加 宽，降低了器件的比导通电阻；其次，在漂移区引入了Si02槽型介质层，该介质层的高电场使器件的击穿电压 显著提高；第三，在槽型介质层中引入 了L型源极场板，该场板调制了漂移区电场，使优化漂移 区掺杂浓度大 幅增加，降低了器件的比导通电阻．二维数值仿真结果表明：与传统SOI结构相比 在相同器件尺寸时，新结 构的击穿电压提高了151％，比导通电阻降低了20％：在相同击穿电压时，比导通电阻降低了80％．与相同器 件尺寸的双槽SOI结构相比，新结构保持了双槽 S0I结构的高击穿电压特性，同时，比导通电阻降低了26％． 关键词：绝缘体上硅，槽栅，比导通电阻，击穿电压 PACS：73．40．Ty，73．40．Kp，73．61．Ey DOh 10．7498／aps．63．237305 1 引 言 绝缘体上硅 fS0I)技术具有理想的介质隔离、 低漏电流、高速、低功耗等优点．在功率集成电路 中备受关注 [1-3】．SOI器件的研究热点主要集中 在两个方面：提高器件的击穿电压(BV)和降低器 件的比导通电阻R。 ．但是，BV和R on． p是互为 矛盾的两个参数，因为R。 与BV的2．5次方成正 比[4】．为了突破两者的矛盾关系，众多器件设计者 不断提出新的思路和见解 [ ，引．槽技术的提出为缓 解BV和R? 。的矛盾关系开辟了一条新的思路． 槽技术主要分为如下三大类：第一类，在漂移区引 入槽型介质层 [7-101；第二类，栅、漏、源电极采用槽 型结构 [11-15】；第三类，把前两类结合起来的双槽 SOI(DTSOI1结构[16-19】．在漂移区引入槽型介质 层可以利用介质层中的高电场来提高器件的BV． 但是介质层的引入使电流传导路径加长，使得器 件的冗。 比较大．栅、漏、源电极采用槽型结构， 可以利用槽型电极加宽电流传导面积、缩短 电流 传导路径，实现较低的R。 ，但BV通常比较低． DTSOI结构结合了前两类的优势，槽型介质层提 高了器件的BV，槽栅降低了R。 ．但是，由于槽 型介质层深入到漂移区内部 阻挡了由源到漏的电 流传导路径，削弱了槽栅降低 风 的优势． 本文提出了一种具有L型源极场板的双槽 SOI(LFP—DTSOI1高压器件新结构．该结构在DT— SOI结构基础上，在槽型介质层中引入L型源极 场板．在L型场板的调制下，漂移区电场得到重 新分配，使器件在更高的优化漂移区掺杂浓度Ⅳd 下，提高器件BV．与传统soi(c—SOI)结构及DT— SOI结构进行比较，LFP—DTSOI结构具有更高的 国家自然科学基金(批准号和天津市自然科学基金(批准号 t通讯作者．E—mail：zjh022@126．com @ 2014中国物理学会 Chinese Physical Society 13JCQNJC，14JCYBJC16200)资助的课题 Mtp：／／wulixb． hy．ac．c佗 物 理 学 报 Acta Phys．Sin． Vo1．63，No．23(2014) 237305 优值(FOM，F=唁／R。 ， p[19】，其中，F为FOM， 为击穿电压)，更好地缓解了BV和R p的矛 盾关系． 2 器件结构与机理 图1为C—SOI结 构及LFP—DTSOI结 构示 意 图．LFP—DTSOI结构采用了槽栅结构，栅 电极 一 直延伸到埋氧层；在漂移区引入了槽型SiO2介 质层，该介质层左侧与P阱相连，右侧与漏区相连； 在该介质层内引入了L型源极场板．栅极及L型源 极场板由掺杂多晶硅形成．这里，t。 为埋氧层厚 度，t 为顶层硅厚度，Ⅳs b为衬底浓度， T为槽型 SiO2介质层的厚度，tP为L型场板的深度，WP为L 型场板的宽度． ： ：l I n+ ．一 P Nd 1 ≯ ≤ | ∥lll 黯O? ≯薯 j 毫一 掌∥ 。 (a) Nsub 图1 (网刊彩色)器件结构示意图 (a)C—SOI结构 (b)LFP—DTS