班级物四乙姓名吴健维学号8522050老师郭艳光内容介绍1.长波长.doc

班級:物四乙 姓名:吳健維 學號:8522050 老師:郭豔光 內容介紹: 長波長半導體雷射簡介 長波長半導體雷射二極體的研製 (1).硫化鉛半導體雷射 (2).碲化鎘汞半導體雷射 (3).中紅外線半導體雷射 1.Ⅲ—Ⅴ族半導體雷射 三.中紅外線半導體雷射 (1).通訊系統 1.光纖通訊系統 2.衛星通訊系統 (2).環境汙染之監測 (3).醫藥上外科之應用 (4).其它用途 四.紅外線感測器簡介 (1)紅外線感測器的種類 (2).PbS紅外線感測器 (3).InSb紅外線感測器 (4).HgCdTe紅外線感測器 (5).量子型紅外線感測器的應用 五.總結 六.參考書目 一.長波長半導體雷射簡介 1945年Townes所領導的小組首次於氨分子(NH3)中發現了微波放大器的裝置，並稱之為”Master”(microwave amplication by stimulated emission of radiation)。但直到六十年代初期，休斯公司科學家T.H.Maiman才在紅寶石中實現了受激輻射之現象，完成第一臺紅寶石雷射。過了六個月，Javan、Bennett及Henniott完成了第一臺氦氖氣體雷射。1962年Hall、Nathan及Quist等研究小組前後研製成砷化鎵(GaAs)同質P-N接面半導體雷射二極體，於是展開了半導體材料在雷射原件上的發展。在氣體雷射或固體雷射中，用於激發輻射之電子遷移，發生於氣體或固體中彼此獨立存在的原子或分子能階之間；而在半導體雷射二極體中，是利用結晶化半導體中數量反轉之兩能帶間電子與電洞之輻射再結合。 並非所有的半導體材料均可成為半導體雷射的發光材料，雷射材料所使用之半導體為發光效率高的”直接能隙”Ⅲ–Ⅴ族、Ⅳ–Ⅵ族及Ⅱ–Ⅵ族之化合物半導體。而半導體雷射發光波長與其活化層材料之能隙大小有關，一班最常見的有以InGaP/AlGaAs、AlGaInP/GaInP及AlGaInP/AlGaInP為材料之可見光半導體雷射，其可廣泛利用於數位音碟、影碟、雷射印表機及光碟記憶體、雷射指示器等原件。對於AlGaAs/InGaAs半導體雷射，其發光波長涵蓋0.785-0.89μm範圍。而InGaAs/InGaAsP、InP/InGaAsP及AlGaInAs/InP半導體雷射之發光波長為1.1-1.5μm，可用為石英系光纖之光源。至於發光波長範圍為2-5μm者，以往研究者甚少；但由於應用範圍越來越廣，已引起廣泛的研究。 波長涵蓋2-5μm中紅外線範圍(mid-infraredrange)之半導體雷射光源，由於雷射光在通訊、環保、偵測醫學及軍事等方面之應用深具優異性及潛力，促進近年來對此一波長範圍之半導體雷射原件之廣範研究。而能使用於此一波長範圍(2-5μm)之半導體材料主要有鉛鹽化合物(Lead-Salts)、Ⅱ–Ⅵ族化合物及Ⅲ–Ⅴ族化合物三種系列材料；但由於鉛鹽化合物及Ⅱ–Ⅵ族化合物材料特性之先天限制，再加上Ⅲ–Ⅴ族化合物材料在電、熱及光特性之優異性，因此主要將討論Ⅲ–Ⅴ族化合物半導體雷射。 二. 長波長半導體雷射的研製 雷射光之激發波長主要與雷射之活化層(active layer)半導體材料有關，圖一.表示不同的三元或四元半導體材料與其雷射二極體激發光波長範圍之關係。對於中紅外線(波長介於2-5μm範圍)雷射光源之研究包含數種材料系統：鉛鹽化合物(Lead-Salts)系列、碲化鎘(CdTe)為主之Ⅱ–Ⅵ族化合物系列及砷化銦(InAs)或銻化鎵(GaSb)為主之Ⅲ–Ⅴ族化合物系列。 (1).硫化鉛半導體雷射 長途傳輸大量資訊是光通信發展目標之一。日本方面已完成日本列島縱貫光纖網路的鋪設，目前為順應通信自由的風潮正著手連絡各大都會的幹線鋪設工程。數年後將開始興建連結歐美的的大西洋海底光纖以及連結美日的太平洋海底光纖，因此世界規模的光通信網已指日可待。在數千公里的超長距離光通信上，如何減少光的傳輸損失是當前一項重大課題。目前，近紅外光和石英系光纖在無中繼的情況下，可傳輸的最大距離是200~300公里。若採用中紅外光半導體雷射與某種金屬氟化物系玻璃光纖組合，則其無中繼之傳輸距離在理論上可望提高二個數量級。可是金屬氟化物系玻璃光纖的最小損失區是在三微米左右的中紅外線區。目前尚未能能在室溫下產生此區的半導體雷射光。為了克服此困難，日本科學技術廳金屬材料研究所在半導體材料上改以稍舊的硫化鉛做為原件材料，終於成功的