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GX-2410RP实验箱硬件平.doc.doc

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GX-2410RP实验箱硬件平.doc

第4章 GX-2410RP实验箱硬件平台 4.1 S3C2410处理器概述 Samsung 公司推出的16/32位RISC处理器S3C2410A,为手持设备和一般类型应用提供了低价格、低功耗、高性能小型微控制器的解决方案。为了降低整个系统的成本,S3C2410A提供了以下丰富的内部设备: 独立的16KB的指令Cache和16KB数据Cache, MMU虚拟存储器管理, LCD控制器(支持STNTFT),支持非线性NAND Flash系统引导,系统管理器(片选逻辑和SDRAM控制器),3个通道的异步串口(UART),4个通道DMA,4个通道的带脉宽调制(PWM)的定时器,I/O端口,RTC,8通道10位ADC和触摸屏接口,IIC-BUS接口,IIC-BUS接口,USB主机(Host)接口,USB设备(device)接口,SD卡MMC卡接口,2个通道的SPI接口以及内部锁相环(PLL)时钟倍频器。 S3C2410A采用了ARM920T内核,0.18um工艺的CMOS标准宏单元和存储器单元。它的低功耗、精简和出色的全静态设计特别适用于对成本和功耗敏感的应用。同样它还采用了一种叫做Advanced Microcontroller Bus Architecture(AMBA)新型总线结构。 S3C2410A的显著特性是它的CPU核心,是一个由Advanced RISC Machines(ARM)有限公司设计的16/32位ARM920T RISC处理器。ARM920T实现了MMU,AMBA BUS和Harvard高速缓冲体系结构。这一结构具有独立的16KB指令Cache和16KB数据Cache,每个都是由8字长的行(line)构成。 通过提供一系列完整的系统外围设备,S3C2410A大大减少了整个系统的成本,消除了为系统配置额外器件的需要。本文档将介绍S3C2410A中集成的以下片上功能: ? 1.8V/2.0V内核供电,3.3V存储器供电,3.3V外部I/O供电; ? 具备16KB的I-Cache和16KB的D-Cache/MMU; ? 外部存储控制器(SDRAM 控制和片选逻辑); ? LCD 控制器(最大支持4K 色STN 和256K 色TFT)提供1 通道LCD 专用DMA; ? 4 通道DMA 并有外部请求引脚; ? 3 通道UART (IrDA1.0, 16 字节Tx FIFO, 和16 字节 Rx FIFO); ? 2 通道SPI; ? 1 通道多主IIC-BUS,1 通道IIS-BUS 控制器; ? 兼容SD 主接口协议1.0 版和MMC 卡协议2.11 兼容版; ? 2 端口USB 主机,1 端口USB 设备(1.1 版); ? 4 通道PWM 定时器和1 通道内部定时器; ? 看门狗定时器; ? 117 个通用I/O 口和24 通道外部中断源; ? 功耗控制模式:具有普通,慢速,空闲和掉电模式; ? 8 通道10 比特ADC 和触摸屏接口; ? 具有日历功能的RTC; ? 具有PLL 片上时钟发生器。 4.1.1 特性 1、体系结构 ? 为手持设备和通用嵌入式应用提供片上集成系统解决方案; ? 16/32 位RISC 体系结构和ARM920T 内核强大的指令集; ? 加强的ARM 体系结构MMU 用于支持WinCE,EPOC 32 和Linux; ? 指令高速存储缓冲器(I-Cache),数据高速存储缓冲器(D-Cache),写缓冲器和物理地 址TAG RAM 减少主存带宽和响应性带来的影响; ? 采用ARM920T CPU 内核支持ARM 调试体系结构; ? 内部高级微控制总线(AMBA)体系结构(AMBA2.0,AHB/APB); 2、系统管理器 ? 支持大/小端方式; ? 寻址空间:每bank 128M 字节(总共1G 字节); ? 支持可编程的每bank 8/16/32 位数据总线带宽; ? 从bank 0 到bank 6 都采用固定的bank 起始寻址; ? bank7 具有可编程的bank 的起始地址和大小; ? 8 个存储器bank: -其中6 个适用于ROM,SRAM,和其他; -另外2 个适用于ROM/SRAM 和同步DRAM; ? 所有的存储器bank 都具有可编程的操作周期; ? 支持外部等待信号延长总线周期; ? 支持掉电时的SDRAM 自刷新模式; ? 支持各种型号的ROM 引导(NOR/NAND Flash,EEPROM,或其他); 3、NAND Flas

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