实验十一半导体雷射实验.doc

半導體雷射實驗報告 組別：第六組 組員名單：張中懷 E-mail：zx.tw 林宗賢 E-mail：baddboyy@.tw 林宏益 E-mail：n2689198@.tw 實驗日期：民國九十年三月二日 實驗十一 半導體雷射實驗 一、 實驗目的 1. 瞭解半導體雷射（Laser diode, LD , Semiconductor Laser）的基本特性 2. 熟悉半導體雷射的光輸出特性 二、 實驗內容 1. 架設簡單的半導體雷射系統，量測LD的P-I curve (P: output power；I：input current) 2. 觀察半導體雷射輸出光斑之形狀 3. 對半導體雷射輸出做準直調整 4. 觀察半導體雷射輸出的偏振特性 三、 實驗器材 1. LD 2. TE cooler 3. Temperature controller 4. Current source 5. Power meter 6. CCD imager 7. Collimating lenses 8. 50/50 beam splitter 四、 實驗步驟 1. 檢查雷射的基本規格，確定工作電壓範圍 2. 把LD放入銅片中，在銅片上銲上熱電阻接回TE controller 量測電阻值可得目前系統的工作溫度。為了控制系統的溫度在一定值，在銅片上裝上TE cooler，由Temperature controller控制加在TE cooler上的電壓，將銅片的溫度控制在所需要的值。 3. 調整輸入電流大小，利用Power meter量測LD所發出的光強度。 4. 同時利用CCD imager觀察記錄半導體雷射的輸出光斑形狀，利用距離移動逆推估算並記錄其水平與垂直張角 5. 畫出LD的P-I curve。（注意要調整Power meter的波長到LD所放出的波長） 6. 估算LD的連界電流（threshold current） 7. 利用Polarizer量測記錄LD的輸出之偏振特性 8. 在LD之後架上準直鏡組，使LD發出的光線打入後平行射出。 9. 半導體雷射準直後，使用50/50 beam splitter把光一半反射回半導體雷射，估算此時LD發光之臨界電流（threshold current） 10. 調整溫度觀察特性是否改變 五、 實驗注意事項 1. 半導體雷射波長分佈與pumping current及溫度有關。（溫控對半導體雷射很重要）。 2. 在半導體雷射中，電子躍升是在價帶（valence band）與導帶（conduction band）之間。利用電流pumping，產生population inversion，接著半導體內的電子與電洞結合輻射出光子，此光子在recombination region射出，而其Laser輸出的cross section一般為一橢圓。 3. 由於熱對半導體也有很大的影響，因此Laser diode若要產生穩定的光，必須要控制溫度，也就是其在定溫下工作。因此需外接一Temperature controller來控制Laser Diode的溫度。 六、實驗進行與結果討論 實驗一：半導體雷射P-I curve與臨界電流的量測與討論 實驗二：Beam splitter 分光鏡反射半導體雷射P-I curve與臨界電流的量測與討論 數據一，實驗一與實驗二圖形 注意，power meter應與雷射半導體盡量接近，使得偵測的強度達到最標準。 實驗三：Polizer半導體雷射的偏振特性 我們固定電流和溫度控制在24度，調整Polizer的角度，量測每一個角度的光強，我們的到了以下的數據與圖形： 數據二與圖形 實驗討論： 由圖可之，最強與最弱的強度相差九十度，且強度為，雖不理想，但可推論為線偏振。 注意，一樣要使power meter 盡量接近Laser，但因為中間隔了檢偏器，所以就盡量接近即可。 實驗四：量測半導體雷射的水平與垂直張角與CCD觀察光斑的量測與討論 我們使用CCD來看光班，在螢幕上只看到一團黑白色的相間隔的條紋，成同心圓形狀交錯在螢幕上，因為這個半導體雷射使為邊緣發光，水平發散角度較大，垂直發散角度較小，CCD沒有辦法接收到完全的水平張角，故只能看出部分條紋，沒有辦法全部瀏覽出整個光斑的形狀，我們使用卡片，在一定距離，定電流的情況下，量測輸出波形的X軸與Y軸的上下高度，再求出水平張角與垂直張角。如下圖所示： 7.5 cm 24.6 cm 水平到量測距離為