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半导体导电性 19.10 本征半导体导电性 Intrinsic semiconductor 两种元素半导体是硅(Si)和锗(Ge)，带隙能分别为1.1和0.7 eV左右。这两种元素在元素周期表（图2.6）中都属于IVA族，都是共价键键合。 此外，化合物半导体材料也表现本征半导体行为：如IIIA族和VA族元素之间形成的材料；绅化镓(GaAs)和锑化铟(InSb)，它们常被称为III－V族化合物。 Empty conduction band Filled valence band 半导体的能带结构 Eg up to 4 eV 由IIB族和VIA族元素构成的化合物也表现半导体行为，这些包括：硫化镉(CdS)和锑化锌(ZnTe)。当构成化合物的两种元素在元素周期表上的相对位置分开越来越大时（即电负性变得越来越不相似，图2.7），原子键合变得更加离子性，带隙能增大——材料趋向变得更加绝缘。表18.2给出了几种化合物半导体的带隙。 表18.2 空穴的概念(Holes) 本征半导体中，激发到导带的电子，在共价键中留下一个遗失电子(missing electron)，或者在价带上留下一个空电子态。在电场中，晶格内遗失电子位置的运动可以看作是其它价电子重复填充不完整键合的运动(图18.10)，价带上遗失电子可当成一个带正电荷的粒子，这个粒子叫空穴，是带有大小为电子电量，符号相反的电荷(+1.6