铜离子腐蚀金棒讲述.doc

铜离子辅助金纳米棒的整形和蚀刻：机理研究和应用 摘要： 这篇文章介绍了铜离子辅助末端的转变和金棒的各向异性的腐蚀在中性条件下。铜离子被提出去催化金纳米棒的氧化通过溶解氧。我们认为金表面原子带有高表面能是通过固定Au-O复合物而稳定存在的（称之为静电吸附氧）。在低浓度的铜离子中，Au-O复合物被移除通过氧化腐蚀，因此留下了一个“干净的”金表面。这样干净的表面通过表面原子的扩散能够释放更稳定的状态，导致金纳米棒的末端形态的改变。在金纳米棒的表面上有吸附氧这种东西的存在，这是第一次被探索和证实。在高浓度的铜离子中，金纳米棒的各向异性的腐蚀通过溶解氧开始（称之为动态吸附氧），并且导致金纳米棒变得更短。对于其它腐蚀剂，像过氧化氢和铁离子，加上铜离子会产生协同作用。由于氧的高吸附力对于银和钯，这样的协同腐蚀也在金银纳米棒和金箔纳米棒中观察到了。这些有趣的发现提供了一种新的方式去探索贵金属纳米晶体的表面反应性。 介绍： 目前，种子修饰生长是最广泛的合成方法对于金纳米棒，M等人是第一个提出的，之后由El实验组进一步的发展。和其它贵金属纳米晶体相比较，在控制合成中重要的进展，包括纵横比，复杂的形态（尤其对于端盖），尺寸和尺寸分布，和棒的产量，已经实现了通过金纳米棒。改变生长参数的作用，像抗坏血酸或者其它还原剂，表面活性剂，氯金酸，卤素离子，和形状校正添加剂，已经被广泛的研究了并且优化了。例如，带有各种各样的末端金纳米棒，像骨头棒结构，箭头和球形末端哑铃状，已经通过控制生长条件获得了。对于金属离子添加剂，研究最多是银离子，并且银的次电位沉积对于金纳米棒独特的结构的合成是重要的。基于相似的观点，铜离子的作用在形态中的控制最近也已经探索了。K等人获得了主要的{111}晶面的金粒子在铜离子存在时，并且提出了区别在铜的次电位沉积在结晶面占主导地位。相似的，S等人也观察到提高铜离子浓度，金纳米粒子的形状也能够被改变从棒，立方体，到十面体。他们认为铜离子能够有选择性的阻止{111}晶格面的生长。在钯纳米棒种子修饰合成中和分支的钯纳米晶体，Chen等人也认为铜的次电位沉积在形状控制中起着重要的作用。完全不同，我们发现另一个铜离子的作用在金棒的种子生长过程中。金棒的尺寸分布能够通过加入铜离子在生长液中被提高。我们认为种子的尺寸腐蚀是金棒的尺寸分布变短的原因，铜离子催化金种子氧化通过溶解氧。而且，铜离子的参与明显加速了生长动力学，导致哑铃金棒的生长。非常有趣的是，一夜储存改变了这种柱形的形态，带有半球形的头部。溶解氧的作用在金棒的生长中是第一个被证实并且在铜离子的帮助下。众所周知，腐蚀也是一种有用的方式去制备纳米结构。因此它激励我们去探索铜离子的作用在其它腐蚀过程中。T等人报道了一种有效的方法对于变短的金棒通过利用溶解氧。通常的，腐蚀条件是严格的，需要高浓度的酸，并且升温，带有持续的搅拌，并且通入氧气。最后会导致他们的原来的程序的改变通过加入更强的氧化剂。此外，其它腐蚀剂也可以用于最初的各向异性的氧化，有时候还需要带有加热，或者激光加热。因此，铜离子的催化作用能够被转移从非常小的金种子到更大的纳米晶体，并且使腐蚀过程发生在中间过程，甚至更多通过赋予更多的可调谐性和可控制性对于腐蚀过程？ 首先我们研究了铜离子的作用使用骨棒状的金棒。我们认为接下来对于铜离子的机理：铜离子能够催化金棒的氧化通过溶解氧。低PH值和高浓度的CTAB都会加速氧化。表面金原子，尤其那些高反应性，是容易被袭击的通过氧通过形成Au-O复合物的形成。在铜离子出现时，复合物被分解，产生金离子和水，因此留下了干净的金表面。金棒能够改变成更稳定的形态通过进一步的表面金原子的分散。静态和动态的吸附氧都被证实了。因此，铜离子能够被使用作为一种探针去检测金原子表面的活性。在高铜离子中，奥西特瓦尔德成热和融合过程能够被观察，尤其在带有小尺寸的金纳米晶体中。基于相似的作用，铜离子展现了一个显著的作用在其它腐蚀剂中，像过氧化氢和铁离子，通过清除吸附氧，并且提供更多的金原子为了腐蚀剂。在最佳条件下，加速腐蚀和尺寸分布变窄能够被实现在中性条件下，铜离子的作用能够被扩展到其它贵金属中，像银和钯。 实验过程： 材料，硼氢化钠，氯金酸，CTAB，CTAC柠檬酸钠，硝酸银，抗坏血酸，PDCA，和 结果与讨论： 铜离子辅助末端形态转变对于金棒的机理。为了更清晰地证明铜离子的作用，我们使用骨棒形的金棒作为例子，之后用CTAB酸和铜离子培养10h，骨棒形的金棒改变了它们的末端形态成为半球形F1B。注意骨棒立方体（红圈在F1）也变成了圆柱形在角落处。这样的末端转变影响了它们的局部表面等离子体共振特点。这种最初的骨棒形的金棒有一个最大的LSPR峰在778nm和一个TSPR峰在510nm。第三个肩峰在586nm左右（F1C）源于骨棒立方体（