MRFE6S9160HSR3;MRFE6S9160HR3;MRFE6S9160HR5;MRFE6S9160HSR5;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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MRFE6S9160HSR3;MRFE6S9160HR3;MRFE6S9160HR5;MRFE6S9160HSR5;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3 1 RF Device Data Freescale Semiconductor RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N - CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. ? Typical Single-Carrier N-CDMA. Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, Pout = 35 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF. Power Gain ? 21 dB Drain Efficiency ? 31% ACPR @ 750 kHz Offset ? -46.8 dBc in 30 kHz Bandwidth ? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive, Designed for Enhanced Ruggedness. Features ? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters ? Internally Matched for Ease of Use ? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation ? Integrated ESD Protection ? RoHS Compliant ? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel. Table 1. Maximum Ratings Rating Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS -0.5, +66 Vdc Gate-Source Voltage VGS -0.5, +12 Vdc Storage Temperature Range Tstg - 65 to +150 °C Case Operating Temperature TC 150 °C Operating Junction Temperature (1,2) TJ 225 °C Table 2. Thermal Characteristics Characteristic Symbol Value (2,3) Unit Thermal Resistance, Junction to Case Case Temperature 81°C, 160 W CW Case Temperature 73°C, 35 W CW RθJC 0.31 0.33 °C/W 1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF. 2. MTTF calculator available at /rf. Select Software Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product. 3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to /rf. Select Documentation/Application Notes - AN1955. Document Number: MRFE6S9160H Rev. 1, 12/2008 Freescale Semiconductor Technical Data MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3 880 MHz, 35 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs CASE 465A-06