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1.1 、电力电子器件的基本模型
1.2 、电力二极管
1.3 、晶闸管
1.4 、可关断晶闸管
1.5 、电力晶体管
1.6 、电力场效应晶体管
1.7 、绝缘栅双极型晶体管
1.8 、其它新型电力电子器件
1.9 、电力电子器件的驱动与保护
;1.8.1 静电感应晶体管
1.8.2 静电感应晶闸管
1.8.3 MOS控制晶闸管
1.8.4 集成门极换流晶闸管
1.8.5 功率模块与功率集成电路;1.8.3 MOS控制晶闸管(MCT) ;1.8 、其它新型电力电子器件;1.8.1 静电感应晶体管(SIT);1.8.1 静电感应晶体管
1.8.2 静电感应晶闸管
1.8.3 MOS控制晶闸管
1.8.4 集成门极换流晶闸管
1.8.5 功率模块与功率集成电路
;1.8.2 静电感应晶闸管(SITH) ;1.8.1 静电感应晶体管
1.8.2 静电感应晶闸管
1.8.3 MOS控制晶闸管
1.8.4 集成门极换流晶闸管
1.8.5 功率模块与功率集成电路;1.8.4 MOS控制晶闸管(IGCT/GCT) ;1.8.1 静电感应晶体管
1.8.2 静电感应晶闸管
1.8.3 MOS控制晶闸管
1.8.4 集成门极换流晶闸管
1.8.5 功率模块与功率集成电路;1.8.5 功率模块与功率集成电路 ; 类似功率集成电路的还有许多名称,但实际上各有侧重:
高压集成电路(High Voltage IC,简称HVIC,一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成);
智能功率集成电路(Smart Power IC,简称SPIC,一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成);
智能功率模块(Intelligent Power Module,简称IPM,专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,也称智能IGBT)。; 1.1 、电力电子器件的基本模型
1.2 、电力二极管
1.3 、晶闸管
1.4 、可关断晶闸管
1.5 、电力晶体管
1.6 、电力场效应晶体管
1.7 、绝缘栅双极型晶体管
1.8 、其它新型电力电子器件
1.9 、电力电子器件的驱动与保护; 1.9 、电力电子器件的驱动与保护;1.9.1 电力电子器件的换流方式;(1)器件换流:利用电力电子器件自身所有的关断能力进行换流称为器件换流。
(2)电网换流:由电网提供换流电压使电力电子器件关断,实现电流从一个臂向另一个臂转移称为电网换流。
(3)负载换流:由负载提供换流电压,使电力电子器件关断,实现电流从一个臂向另一个臂转移称为负载换流。凡是负载电流的相位超前电压的场合,都可以实现负载换流。; 在晶闸管T处于导通状态时,预先给电容C按图中所示极性充电。如果合上开关 S,就可以使晶闸管T被加反压而关断。 ; 晶闸管T处于导通状态时,预先给电容C按图中所示的极性充电。
图(b)中,接通开关S后,
(1)C通过T放电,L充电,正向电流逐渐增大到最大;
(2)L经T放电续流,C充电,下正上负,直到正向电流减小到0,L放电结束,C充电结束;
(3)C经D放电,L充电,反向电流逐渐增大到最大,直到C放电结束,L充电结束;
(4)L经D放电C充电,上正下负,反向电流逐渐减小到0, L放电结束,C充电结束。
整个周期结束。; 1.9.2 驱动电路;作用:产生符合要求的门极触发脉冲,决定每个晶闸管的触发导通时刻。
图1.9.4为基于脉冲变压器TR和三极管放大器的驱动电路。
工作原理:当控制系统发出的高电平驱动信号加至三极管放大器后,变压器TR输出电压经D2输出脉冲电流触发SCR导通。当控制系统发出的驱动信号为零后,D1、DZ续流,TR的原边电压速降为零,防止变压器饱和。;图1.9.5光耦隔离的SCR驱动电路。
工作原理:当控制系统发出驱动信号致光耦输入端时,光耦输出电路中R上的电压产生脉冲电流触发SCR导通。
;开通:在门极加正驱动电流。;1)图1.9.6(a) 晶体管T导通、关断过程:
电源E经T使GTO触发导通,电容C充电, 电压极性如图示。当T关断时,电容C放电,反向电流使GTO关断。
R起开通限流作用,L在SCR阳极电流下降期间释放出储能,补偿GTO的门极关断电流,提高了关断能力。
该电路虽然简单可靠,但因无独立的关断电源, 其关断能力有限且不易控制。另一方面,电容C上必须有一定的能量才能使GTO关断,故触发T的脉冲必须有一定的宽度。;导通和关断过
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