2.讲座之一 -- PD芯片知识培训幻灯片.pptVIP

PIN PD 芯片知识;培训内容;1、什么是PD芯片？ PD——Photo Devices 光电探测器 Photo Dioder 光电二极管 2、为什么要做PD芯片？ 光纤通信均采用光谱很窄的单色光源，要求所采用的检测器具有波长选择性，因此系统的检测器都采用光子器件。 3、PD所探测的波长 λ=1.3μm λ=1.55μm 4、PD图示方法 ;6.1PD的工作原理 平衡状态下的PN结：P型N型半导体交界面将发生载流子的扩散运动。达到平衡时形成空间电荷区，形成内建电场Ei以及接触势垒Vd，Vd Ei的存在阻止了多数载流子向对方扩散，达到了动态平衡。 6.2光照时节 当光波照射到PN结上，光子就会产生电子空穴时，光生载流子的运动同样在结区形或电场Ei，和电压Vp，而Vp和Ep的方向和极性正好与Vd和Ei相反起削弱电场Vd和Ei的作用，当外界光照是稳定的将PN结西端用导线连接，串入电流计就能读出光电流Ip. ;6.3外加电时 反向偏置的P—N结。 零偏下的PN结，当以适当的能量光照射PN结。使光生电场E=Ei-Ep=0即Ei已被削减为零。耗尽区不存在。这时光生载流子虽仍在P-N中产生。但无电场引导和加速。在杂乱的扩散过程中，大部份光生空穴和光生电子相继复合而消失。不能形成外部电流。 A、零偏置有大弊端 ①器件的响应率很差且很易饱和 ②依靠扩散动动形成的光电流响应速度很慢 B、 PN结上加反向偏置电压 势垒Vd+V高度增加，耗尽区宽度W加宽。响应率和响应速度都可以得到提高。;7、PIN光电二极管 PN结器件：结构简单；暗电流降低困难，无法提高响应率；稳定性差 PIN器件： 当器件处于反偏置状态时电源在PN结中形成电场E与内建电场Ei同方向，合成结电场 Ej=E+Ei使耗尽区W显著地展宽，再加本征i层具有极高的电阻值，已接近绝缘体，耗尽区在整个i区内延伸。给器件带来三个优点。 A、I区较P区厚，入射光能在较宽的范围内激发出载流子，因而提高了器件的响应率。 B、 整个I区较有电场，光生载流子获得较扩散速度快得多的漂移速度奔向电极形成外部电流，因响应度提高了。 C、耗尽区拉宽，使结电容减小，有利于高频响应。;; ;2．1 采用原子面密度最小的（100）——InP做衬底，以降低界面态；采用掺硫衬底，因为硫在InP中有明显的抑制做用。 2．2 在衬底与吸收层之间生长的非掺杂InP缓冲层,以阻挡外延生长过程中衬底硫反扩散对有源层造成的污染,并实现衬底与吸收层之间的晶体过度,减少晶体缺陷。 2.3 在窄带隙In0.53Ga0.47As（Eg?0.47ev）吸收层上生长一层宽带隙InP顶层（Eg?1.35ev），InP?InGaAs异质结势垒将有效地控制少数载流子扩散电流的产生。宽带隙材料与表面钝化膜之间存在较大的势垒，电子和空穴不易由半导体注入到介质膜中，能够稳定暗电流参数。 2.4 采用双层钝化膜平面结构，较之台面结构其稳定性更好。 2.5 P面采用延伸电极，避免了因键合应力直接施加在Pn结及有源区上产生新的晶体缺陷以及由此造成的结构退化。 ;?300;20 ; ?55二次版图 ?55二次版图 图4．三次版图 三次版图为P面电极图形，电极材料为Cr-Au，它由光敏面电极及延伸电极组成。光敏面电极要大于二次版电极环尺寸，延伸电极是为了避免键合应力直接施加在光敏面上而设计的。由于它延伸到介质膜上面，将附加一个MOS电容，因此不宜过大。延伸电极的尺寸为?60?m，是为金丝球焊设计的（焊点一般为60～70?m）延伸条的宽度不能太窄，否则电流密度过大将引起电迁移或断裂失效。一般情况下Cr—Au的电流密度?1×106A?cm2、平均环境温度在195℃时，电极条的平均寿命可达13500h。在实际应用中，探测的光功率远小于8mW，而且最高工作温度为100℃，因此电极条设计完全能满足稳态工作寿命10000h的要求.; ;4. 工艺设计 4．1 基片材料设计 衬底晶向设计为（100）。 （100）晶面的界面态密度最小，而且与其它晶向相比，便于划片或解理，因此 可避免由此给管芯带来的晶格损伤。 设计的衬底掺杂元素为（S）。 硫有明显抑制位错的作用，在相同的掺杂浓度下，位错