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第1章 电力电子器件;主要内容:
常用电力电子器件分类;
常用电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性、主要参数和安全工作区;
常用电力电子器件的基本驱动电路、缓冲电路和保护方法;
常用电力电子器件的串并联技术。
;1.1 引 言;1.2 电力电子器件的结构、特性和主要常数;2. 功率二极管的工作原理
P型半导体和N型半导体结合一体,其中,N型半导体区电子浓度大,P型半导体区空穴浓度大,因此,N区电子要向P区扩散与P区空穴复合,在N区边界侧留下正离子层, P区空穴要向N区扩散与N区电子复合,在P区边界侧留下负离子层,在交界处渐渐形成空间电荷区;
多数载流子的扩散运动和少数载流子漂移运动到动态平衡,决定空间电荷区的宽度,形成PN结;
PN结具有单向导电性,二极管是一个正方向单向导电、反方向阻断的电力电子器件。;3. 功率二极管的特性
(1) 功率二极管的伏安特性;(2) 功率二极管的开关特性
;图1-3 功率二极管的开关特性;4. 功率二极管的主要参数
(1) 额定电压URR
反向不重复峰值电压URSM是指即将出现反向击穿的临界电压;
二极管的额定电压URR(反向重复峰值电压URRM)取反向不重复峰值电压URSM的80%;
URRM(或URR)小于二极管的反向击穿电压URO。
(2) 额定电流IFR
功率二极管的额定电流IFR被定义为在规定的环境温度为+40℃和散热条件下工作,其管芯PN结温升不超过允许值时,所允许流过的正弦半波电流平均值 。若正弦电流的最大值为Im,则额定电流为
(1-1);(3) 最大允许的全周期均方根正向电流IFrms
二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时,与其发热等效的全周期均方根正向电流IFrms
(1-2)
由式(1-1)和(1-2)可得 (1-3)
(4) 最大允许非重复浪涌电流IFSM
这是二极管所允许的半周期峰值浪涌电流。该值比二极管的额定电流要大得多。实际上它体现了二极管抗短路冲击电流的能???。
功率二极管属于功率最大半导体器件,二极管参数是正确选用二极管依据。 ;1.2.2 晶闸管及派生器件;自冷式;2. 晶闸管的结构
晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。;3. 晶闸管的工作原理
IG↑→Ib2↑→IC2(Ib1)↑→IC1↑;欲使晶闸管导通需具备两个条件:
应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。
应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。
晶闸管一旦导通,门极即失去控制作用,故晶闸管为半控型器件。
为使晶闸管关断,必须使其阳极电流减小到一定数值以下,这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。;4. 晶闸管的特性
(1) 晶闸管的伏安特性
晶闸管的伏安特性是晶闸管
阳极与阴极间电压UAK和晶闸
管阳极电流IA之间的关系特性。
(2) 晶闸管的门极伏安特性
;
由于实际产品的门极伏安特性分散性很大,常以一条典型的极限高阻门极伏安特性和一条极限低阻门极伏安特性之间的区域来代表所有器件的伏安特性,由门极正向峰值电流IFGM﹑允许的瞬时最大功率PGM和正向峰值电压UFGM划定的区域称为门极伏安特性区域。PG为门极允许的最大平均功率。其中,OABCO为不可靠触发区,ADEFGCBA为可靠触发区。;(3) 晶闸管的开关特性;
上升时间tr:阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间
普通晶闸管延迟时间为0.5~1.5?s,上升时间为0.5~3?s
②关断过程
关断时间toff:包括 反向阻断恢复时间trr与正向阻断恢复时间tgr,即
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