DDR、USB3.0、RJ45案例.pptx

Agenda DDR USB3.0 RJ45 DDR DDR概述 DDR：即DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，雙倍速率同步動態隨機存儲器）的慣稱。顧名思義，它是在SDRAM的基礎上發展誕生并沿用SDRAM的生產體系。至今已有四代產品---DDR1/DDR、DDR2、DDR3和DDR4。 RAM – Random Access Memory SDRAM – Synchronous Dynamic RAM DDR SDRAM – Double Data Rate SDRAM DDR X SDRAM – Double Data Rate X Synchronous Dynamic Random Access Memory DDR RAM DRAM SDRAM 開機時，所有正在運行的資料、程式放置其中，並可隨時進行修改、存取 一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個記憶體位元作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作 存儲資料塊較快，且能與CPU外頻保持同步運行 ，可以取消等待週期，減少資料傳輸的延遲，提升電腦的性能和效率 需持續電力提供， 一旦系統斷電，存放的所有資料和程式都會自動清空，且無法恢復 電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則資料會丟失。(存取時間和放電時間一致，約為2~4ms) 隨著CPU外頻速度的迅猛提升，對與其相搭配的記憶體速率提出了更高的要求 Memory 簡介： DDR ITEM DDR DDR2 DDR3 DDR4 Data rate 266/333/400Mbps 400/533/667/800Mbps 800/1066/1333/1600Mbps 2400/2133Mbps Chip size 256Mb/512Mb 512Mb/1Gb 512Mb/1Gb/2Gb 4Gb Voltage 2.5v 1.8v 1.5v/1.35v 1.2v Pre-fetch 2bit 4bit 8bit 8nbit Package TSOP FBGA FBGA FBGA 四代DDR性能比較表 內部拓撲結構 DDR 如图是一片容量4Gb，数据位宽为8bit的DDR3 SDRAM的结构图 容量=2^16*2^3*2^10*8=2^32 bit 預取（pre-fetch）及速率 DDR DDR DDRⅡ 預取（pre-fetch）及速率 DDR 五大信號類型 DDR DDR 的Pin腳信號分為五大種類：Command、Address、Clock、DQ、DQS如下圖所示。前三者為控制芯片CPU發給DDR的單向信號，也就是CPU發出的讀/寫指令、尋址地址以及同步時鐘（上升沿采樣生效）。后兩者為數據線，DQ以DQS為基準，實行源同步采樣。 讀操作 DDR的內部以存儲陣列的方式存儲數據，分為若干頁，每一頁稱為“邏輯bank”（ Logical Bank，简称Bank ），基本上設計為4個或8個Bank。 Bank是一個N × N的陣列表，B代表Bank地址編號，C代表列地址編號，R代表行地址編號。尋址時會首先同時指定Bank和（ Row ）地址，然后又同時指定列（Column）地址，前者稱之為“行啟動”（Row Active）命令發送，後者稱為“讀/寫命令”（R/W），最终鎖定目標单元。如果定址命令選中的是B1、R2、C6，就能選定如下示意圖中填紅色的存儲單元。 DDR 讀操作 tRCD：即RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延遲時間，RAS就是行地址選通脈衝，CAS就是列位址選通脈衝），我們可以理解為行選通週期。它以時鐘週期（tCK，Clock Time）為單位，比如tRCD=3，就代表延遲週期為三個時鐘週期。 DDR 讀操作 CL:即CAS Latency，列地址脈衝選通潛伏期，它是讀指令發出后到數據輸出到DQ線上的時延。CL的數值單位與 tRCD一樣，也是以時鐘週期為單位。 tAC:即Access Time from CLK，時鐘觸發後的訪問時間，它包含在CL內，是S-AMP提取Cells Array里的數據，再輸送到DQ線的前期準備時間。 DDR 讀操作總體流程 Active命令送出，同時選擇Bank和Row位址（ BA0-BA2選擇BANK、 A0-A15選擇Row），打開一個工作行； Read命令送出，同時選擇Column位址