蔡启舟-工程材料学（II）第一章.pptVIP

* ① 位错线附近的晶格有相应的畸变，有高于理想晶体的能量； ② 位错线附近异类原子浓度高于平均水平； ③ 位错在晶体中可以发生移动，即可动性，是材料塑性变形基 本方式之一； 位错对材料性能的影响 ④ 位错与异类原子的作用，位错之间的相互作用，对材料的力学性能有明显的影响。(详细内容到塑性变形一章再论述) * 面缺陷的形式：晶界 亚晶界 相界(两个不同类型晶体的分界面) 在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 1Cr17不锈钢的多晶体 7.3面缺陷 * 界面上的原子，同时受晶体内自身原子和外部介质原子或分子的作用力。 内部原子对界面原子的作用力显著高于外部原子或分子的作用力。 表面原子就会偏离其正常平衡位置，并因而牵连到邻近的几层原子，造成表面层的晶格畸变。 指金属与真空或气体、液体等外部介质相接触的界面。 (1) 晶体表面 由于晶格畸变，故其能量就会升高，将单位面积上升高的能量称为比表面能，简称表面能，它与表面张力同数值、同量纲，单位为J/m2。单位长度上的表面张力单位为N/m * 外部介质的性质。外部介质的分子或原子对晶体界面原子的作用力与晶体内部分子或原子对界面原子的作用力相差越悬殊，则表面能越大。 裸露晶面的原子密度。当裸露的表面是密排晶面时，则表面能最小，非密排晶面的表面能则较大。 晶体表面的曲率。表面的曲率越大，曲率半径越小，则表面能越高。 影响表面能的主要因素有： * (2) 晶界 ① 小角度晶界 晶界是晶体结构相同、空间取向(或位向)不同的相邻晶粒之间的分界面。当相邻晶粒的位向差小于100时，称为小角度晶界；位向差大于100时，称为大角度晶界。 对称倾侧晶界 * 扭转晶界 扭转晶界是小角度晶界的一种类型。它可看成是两部分晶体绕某一轴在一个共同的晶面上相对扭转一个θ角所构成的，扭转轴垂直于这一共同的晶面。该晶界的结构可看成是由互相交叉的螺型位错所组成。 * ② 大角度晶界 大角晶界模型 相邻晶粒在邻接处的形状是由不规则的台阶所组成。界面上既包含有不属于任一晶粒的原子A，也含有同时属于两晶粒的原子D；既包含有压缩区B，也包含扩张区C，大角度晶界中的原子排列比较紊乱， 晶界很薄，纯金属中大角度晶界的厚度不超过三个原子间距。 * ??? 晶粒也不是完全理想的晶体，而是由许多位向相差很小的所谓亚晶粒组成的。晶粒内的亚晶粒又叫晶块(或镶嵌块)。亚晶粒之间的位向差只有几秒、几分，最多达1～2度。亚晶粒之间的边界叫亚晶界。亚晶界是位错规则排列的结构。例如，亚晶界可由位错垂直排列成位错墙而构成。亚晶界是晶粒内的一种面缺陷。 (3) 亚晶界 * (4) 堆垛层错 在实际晶体中，晶面堆垛顺序发生局部差错而产生的一种晶体缺陷称为堆垛层错，简称层错，它也是一种面缺陷，通常发生于面心立方金属。完整面心立方结构是以密排面{111}按顺序堆垛的，但假设晶体的堆垛顺序为： A B C A B C A B C A B C A B C A B A B C A B C 相当于抽掉了第二个C层，在局部区域出了密排六方结构的ABAB堆垛顺序的特征。这样一来，就破坏了晶体的周期性完整性，引起能量升高。 通常把产生单位面积层错所需的能量称为层错能。 * (5) 相界 具有不同晶体结构的两相之间的分界面称为相界。分为三类：共格界面、半共格界面、和非共格界面 * 晶界特性 ① 晶界处点畸变大，存在晶界能。 ② 常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍运动，使塑型变形抗力提高，使晶体（材料）的硬度和强度提高。 ③ 晶界处原子具有较高的动能，且晶界处存在大量缺陷。原子在晶界处扩散比晶内快得多。 ④ 固态相变时易在晶界处形成新核。 ⑤ 晶界上富集杂质原子多，熔点低，加热时容易过烧。 ⑥ 晶界腐蚀速度比晶内快。 ⑦ 晶界具有不同与晶内的物理性质。 * 晶界的平衡形貌 晶粒大小、晶界形状平衡形貌均应满足体系Gibbs自由能最小的要求。 a. 为了维持界面能的平衡，三晶粒交会点应满足图中公式的关系。均为大角晶界时应互为1200角。 * c. 第二相处于三晶粒交会处时，依接触角不同其形状也不同。 b. 第二相处于晶界时，一方面界面能不相等，另一方面为减小总界面能，形成图示的透镜状，其中二切线夹角θ称为接触角(也称润湿角)。满足： * d. 多晶体材料的晶界均属于大角晶界，界面能大致相等，尽管在