分别写出下列三种情况下,电容C上的电压vC(t)的函数表达.doc

PAGE 1 PAGE 6 习题7-1 一阶RC电路如题图7-1所示。当t=0时开关S合上，分别写出下列三种情况下，电容C上的电压vC(t)的函数表达式。 (1)E=0，在t=0时电容上有初始电压vC(0)。 (2)E为常数，在t=0时电容上初始电压为0。 (3)E为常数，在t=0时电容上有初始电压vC(0)。 E S R C vC(t) 题图7-1 习题7-2 一阶RC电路如题图7-1所示。当t=0时开关S合上，E=3.6V，R=300Ω，C=6200pF经过多少时间电容C上电压vC(t)=1.4V？ 习题7-3 电路如题图7-3所示。输入为方波，VH=5V，VL=0V，频率f=10kHz，根据信号频率和电路时间常数τ的关系，定性画出下列三种情况下vO的波形： (1) R=10kΩ，C=0.5μF； (2) R=1kΩ，C=0.05μF； (3) R=100Ω，C=5000pF。 R C vC(t) vI(t) 题图7-3 习题7-4 TTL与非门和二极管D组成的施密特触发器如题图7-4所示。己知与非门的门坎电压VT=1.1V，二极管导通压降VD=0.7V。 (1)说??电路的工作原理，求出电路的VT+，VT-和△V的值。 (2)画出电路的vO=f(vI)特性曲线，並标明有关的值。 1 D vO vI 题图7-4 习题7-5 CMOS反相器组成的施密特触发器如题图7-5所示。己知CMOS反相器的门坎电压VT=2.5V， VDD=5V。 写出电路的VT+，VT-和△V的表达式。 若已知CMOS反相器的高电平输出电流IOH≤1mA，试确定电阻R2的取值范围。 若R1=3kΩ，R2=7.5 kΩ，则电路的VT+，VT-和△V各为多少？画出相应的vO=f(vI) 特性曲线。 1 1 R1 R2 vI vO 题图7-5 习题7-6 回差电压可调的施密特触发器如题图7-6所示。己知三极管的VBE=0.7V，与非门的门坎电压VT=1.4V。 (1) 分析电路的工作原理，写出电路的VT+，VT-和△V的计算公式。 若RE=200Ω，要得到2.45V的回差电压，RW的值应为多大？ 若RE=200Ω，RW=300Ω，vI为幅值0～5V的三角波，画出vO对应于vI的波形， 並标明有关点的电平值。 1 2k 3k T vI vO RW RE VCC(+5V) 题图7-6 习题7-7 运算放大器构成的施密特触发器电路如题图7-7所示，已知VOmax=±10V。 (1)分析电路原理，导出电路的VT+，VT-和△V的计算公式。 (2)若R1=9kΩ，R2=1kΩ，画出相应的vO=f(vI) 特性曲线。 + - ∞ R1 R2 vI vO 题图7-7 习题7-8 运算放大器构成的施密特触发器电路如题图7-7所示，已知VOmax=±10V，图中R2接地改为接VR，且令VR分别为+4V和-4V，当R1=9kΩ，R2=1kΩ时，分别画出相应的vO=f(vI) 特性曲线，並标明有关点的电平值。 习题7-9 两级射极耦合电路构成的施密特触发器如题图7-9所示，设三极管VBE=0.7V，VCES=0.3V。 (1)当vI=0时，计算电路的静态工作点。 (2)求电路的VT+，VT-和△V值。 (3)说明电阻RC2取值大小对电路回差电压有何影响。 T1 T2 R1 R2 RE RC1 RC2 vI vO +12V 3k 5.1k 2k 15k 250 题图7-9 习题7-10 CMOS施密特触发器CC40106的vO=f(vI) 特性曲线和构成的电路如题图7-10 所示。若R=500kΩ，C=6200pF，求电路的振荡频率。 1 R C CC40106 uO O 3 6 10 vO(V) vI(V) 题图7-10 习题7-11 CMOS非对称式多谐振荡器电路如题图7-11所示。分析电路的工作原理，並说明vO分别为低电平与高电平时，电容C充放电的路径。 1 1 R C vO1 vO 题图7-11 习题7-12 CMOS或非门微分型单稳态电路如题图7-12所示。 与TTL与非门微分型单稳态电路相比有何不同？ 说明在稳态条件下，vI，vO的电平值？ 分析电路的输出脉宽tW和哪些参量有关？ 若vI的正脉冲宽度大于的正脉冲宽度，电路能否正常工作？会出现什么现象？应 1 ≥1 R C +VDD vI vO 如何克服？