第七金屬和半导体的接触-.pptVIP

第七章 金属和半导体的接触（习题） 徐洁 1.求Al-Cu , Au-Cu , W-Al , Cu-Ag , Al-Au , Mo-W , Au-Pt的接触电势差，并标出电势的正负 解：两种金属相互接触，因为各自的功函数不同，即费米能级不同，所以接触时，电子会从费米能级高的金属向费米能级低的金属表面流动，从而产生电势差。 公式：V1-V2=1/q（EF1-EF2）， 又金属的功函数：Wm=E0-EF， 可得△V=-1/q△Wm 代入各金属的逸出功可得 金属的功函数课通过查图7-2获得 2.两种金属A和B通过金属C相接触，若温度相等，证明其两端a、b的电势差同A、B直接接触的电势差一样。如果A是Au、B是Ag、C是Cu或Al,则Vab为多少伏? 证明：Vac=-1/q(Wa-Wc) Vcb=-1/q(Wc-Wb) Vab= Vac+Vcb= -1/q(Wa-Wc)- 1/q(Wc-Wb) =1/q(Wb-Wa) 查图7-2可得： WAu=4.8eV, WAg=4.4eV 故Vab =1/q(Wb-Wa)=(4.4-4.8)/q=-0.4V 3.施主浓度ND = 1017cm-3的n型硅，室温下的功函数是多少?若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Mo接触时，形成阻挡层还是反阻挡层?硅的电子亲和能取4.05eV。 解：对于n型半导体,WmWS形成阻挡层；WmWs,形成反阻挡层。 WS=χ+En En=EC-EF=-koTln（ND/NC）(室温下，杂质半导体属于强电离区) Si: mn*=1.08mo=1.08×9.108×10-31 =9.84×10-31kg 将mn*及h=6.625×10-34J·S, ko=1.380×10-23J/K代入 NC的计算公式，得到 NC=2.82×1025cm-3 En=EC-EF=-koTln（ND/NC）=0.503ev WS=χ+En=4.05+ 0.503=4.553ev WAl=4.3ev WAu=4.8ev WMo=4.35ev WAlWS, WMoWS,所以Al,Mo与半导体接 触时分别形成n型反阻挡层 WAuWS,所以Au与半导体接触时形成n型阻挡层 4.受主浓度NA = 1017cm-3的P型锗，室温下的功函数是多少?若不考虑表面态的影响，它分别同Al,Au,Pt接触时，形成阻挡层还是反阻挡层?锗的电子亲合能取4. 13eV。 解：对于p型半导体，WmWs,形成反阻挡层， WmWs,形成阻挡层。 WS=χ+(EC-EF)=χ+(Eg+Ev-EF)=χ+Eg+(Ev-EF） EV-EF=K0Tln(NA/NV)（设室温下杂质全部电离） mp*=0.37m0=3.37×10-31kg NV=[2(2∏ mp*K0T)3/2]/h3=5.65×1024cm-3 EV-EF=-0.461V p型锗的功函数为： WS=χ+(EC-EF)=χ+(Eg+Ev-EF)=χ+Eg+(Ev-EF)=4.13+0.664-0.461=4.33ev 已知WAl=4.18eV, 显然：WAlWS形成p型阻挡层 WAu=5.20eV,WPt=5.43eV 显然二者的功函数均大于WS，故该p-Si和Au，Pt形成p型反阻挡层 5.某功函数为2.5eV的金属表面受到光的照射。 ①这个面吸收红色光或紫色光时，能放出光电子吗? ②用波长为185nm的紫外线照射时，从表面放出的光电子的能量是多少eV? 解： ①红色光λ1=760nm,γ1=C/λ1=3.95X1014Hz 紫色光 λ2=380nm,γ2=C/λ2=7.89X1014Hz 因此hγ1=（6.63X10-34X3.95X1014）/（1.6X10-19）=1.64eV2.5eV hγ2=（6.63X10-34X7.89X1014）/（1.6X10-19）=3.27eV2.5eV 故红光不能产生光电子，紫光可以产生光电子 ②λ3=185nm,γ3=C/λ1=1.62X1015Hz hγ3=（6.63X10-34X1.62X10