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单晶硅性能的实验研究 　　摘要： 对三根优质单晶硅的性能进行了实验研究，对电阻率、氧含量、碳含量、少子寿命等进行了检测。结果表明：当单晶炉内压强为1300 Pa时，所生产出的单晶硅质量最佳，其电阻率为0.7，少子寿命为9.8，含碳量为3.3×1018atoms/cm3，含氧量为0.46×1018 atoms/cm3。 　　Abstract： The experimental study of three high-quality monocrystal silicons have been carried， the resistivity， minority carrier lifetime，oxygen content， carbon content were tested. The results show that when the production process of Monocrystal furnaces pressure is 1300 Pa， the best quality monocrystalline silicon can be produced， the resistivity is 0.7， the minority carrier lifetime is 9.8， the carbon content is 3.3×1018 atoms/cm3， the oxygen content is 0.46×1018 atoms/cm3. 　　关键词： 单晶硅；电阻率；少子寿命；含碳量；含氧量 　　Key words： monocrystal silicon；resistivity；minority carrier lifetime；oxygen content；carbon content 　　中图分类号：TB321 文献标识码：A 文章编号：1006-4311（2016）21-0098-02 　　0 引言 　　随着电子工业和半导体工业的巨大发展，硅材料作为半导体工业的基础，也得到了迅速发展，成为当代信息技术产业的支柱，正引起越来越多的关注和重视，国内外学者对单晶硅也进行了大量的研究[1-4]。本论文分别对三根单晶硅棒样品进行了产率、消耗率的计算，并且对电阻率、氧含量、碳含量、少子寿命等进行了检测。 　　1 单晶棒初步检测及计算 　　初步对三种不同工艺参数下（炉内压力：1号炉1000 Pa，2号炉1300 Pa，3号炉1600 Pa）生产出的三根单晶棒的质量，直径，剩余料（埚底料）等进行检测，结果分别为：1号炉单晶棒质量为82.08kg，埚底质量为0.65kg，引晶长度为150mm，尾长度为156mm，晶棒的质量约170～173mm；2号炉单晶棒质量为82.62kg，埚底质量为1.45kg，引晶长度为150mm，尾长度为153mm，晶棒的质量约170～173mm；3号炉单晶棒质量为82.23kg，埚底质量为1.73kg，引晶长度为150mm，尾长度为160mm，晶棒的质量约171～174mm。 　　产率和消耗率都是衡量单晶硅生产效益最重要的标尺。产率越高，消耗率就会越低，经济效益也就越高。 　　产率的计算公式： 　　η=m1/m×100%（1） 　　消耗率的计算公式： 　　n =（m-m1-m2）/m×100% （2） 　　式中：η为产率；n为消耗率；m为装料量；m1为单晶棒质量；m2为埚底质量。 　　对三个单晶炉内单晶硅棒的产率和消耗率进行计算，结果分别为：1号炉，产率为96.56%，消耗率为2.67%；2号炉，产率为97.20%，消耗率为1.22%；3号炉，产率为96.74%，消耗率为1.32%。 　　由计算结果进行分析可知，在2号炉内生产出的单晶硅产量最高，消耗率最低，所以单晶硅压力为1300 Pa时，最适合单晶硅生产。 　　2 单晶硅性能检测及研究 　　单晶硅检测按照p型（100）方向质量标准进行检测，其标准为：电阻率0.5～3Ω?cm，少子寿命5.0us，碳含量5.0×1018atoms/m3，氧含量1.0×1018atoms/m3。 　　2.1 电阻率 　　电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。用某种材料制成的长1m、横截面积是1mm2的，在常温下（20°C时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。电阻率的单位是欧姆?米（Ω?m），常用单位是欧姆?毫米和欧姆?米。 　　对不同压力下的单晶硅棒的电阻率进行检测，结果分别为：1号炉为0.7Ω?cm；2号炉为0.7Ω?cm；3号炉为0.7Ω?cm。 　　由检测结果可知：生产出的单晶棒的电阻率符合p型（100）方向质量的检测标准，并且不同炉压下单晶棒的电阻率完全相同，说明单晶棒的电阻率不受生