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半导体器件原理 主讲人：仇志军 本部物理楼435室Email: zjqiu@fudan.edu.cn  助教：熊丝纬 fudan.edu.cn 第一章 pn结的频率特性与开关特性 1.1 半物要点回顾 1.2 pn结的频率特性 1.3 pn结的开关特性 1.1 半物要点回顾1 第一章 pn结的频率特性与开关特性 1.1 半物要点回顾 1.2 pn结的频率特性 1.3 pn结的开关特性 第一章 pn结的频率特性与开关特性 1.1 半物要点回顾 1.2 pn结的频率特性 1.3 pn结的开关特性 * 重要公式 ? ? ? ? ? －非平衡p-n结的能带图 －电压完全降在势垒区 重要图像--非平衡p-n结的能带图 1.1 半物要点回顾2 无限厚样品的稳态扩散解 注入到N区的非平衡空穴 注入到P区的非平衡电子 －正向偏压下的非平衡少子 1.1 半物要点回顾3 重要图像--非平衡p-n结的能带图 －反向偏压下的非平衡少子 =0抽取 1.1 半物要点回顾4 重要图像--非平衡p-n结的能带图 前提： －小注入 －突变耗尽层条件 （耗尽层外电中性） －忽略势垒区中载流子的产生、复合 －非简并 重要图像-- 理想p-n结的J-V关系 电流密度 扩散电流组成 1.1 半物要点回