PN结的电容效应.ppt

点接触型 阳极 引线 金属丝 N 型锗片 外壳 阴极 引线 阴极引线 面接触型 N型硅 PN 结 阳极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 1.2.1 结构类型和符号 集成电路中平面型 anode 阴极 cathode 阳极 IS 反向饱和电流 UT =kT/q 温度电压当量 UT=26 mV 室温27摄氏度 1.2.2 伏安特性 二极管的伏安特性曲线 O uD /V iD /mA 正向特性 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 O uD /V iD /mA 正向特性 Uon 反向特性 U (BR) 反向击穿 1.2.2 伏安特性 实际二极管的伏安特性 1.2.2 伏安特性 温度对二极管伏安特性的影响 由二极管的电流方程 结论：温度会影响二极管中的电流 反向饱和电流IS也和温度有关，且其敏感性高于UT 一 般情况下，温度每升高10摄氏度，IS值增加一倍。 ① 温度电压当量就由温度决定。 1.2.2 伏安特性 温度对二极管伏安特性的影响 ①温度升高：正向特性曲线左移，反向特性曲线下移 1.2.2 伏安特性 温度对二极管伏安特性的影响 ②室温附近：温度每升高1度，正向压降减小2－2.5mV 温度每升高10度，反向电流约增大一倍 1.2.3 主要参数 (1) IF——最大整流电流 (2) UR—— 最高反向工作电压 (3) IR—— 反向饱和电流 (4) fM ——最高工作频率 * * * 国外的命名不同 * 国外的命名不同 1.1　半导体基础知识 1.2　半导体二极管 第一章 常用半导体器件 1.3　双极型晶体管 1.4　场效应管 1.5　单结晶体管和晶闸管 1.6　集成电路中的元件 1.1　半导体基础知识 1 什么是半导体 2　半导体的导电特性 3　半导体的分类 4　PN结 1.什么是半导体(semiconductors) 物质的导电性决定于原子结构 导体 绝缘体 半导体 2.半导体的导电特性 掺杂敏感 温度敏感 光照敏感 3.半导体的分类 半导体 本征半导体 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 本征半导体 (intrinsic semiconductor) 价电子 本征半导体的原子结构 立体结构图 Si Si Si Si Si Si Si 平面示意图 本征半导体 ( intrinsic semiconductor ) 共价键 (covalent bond) 价电子 立体结构图 本征半导体 ( intrinsic semiconductor ) Si Si Si Si Si Si Si 空穴 自由电子 本征激发 复 合 半导体导电的特殊性质 当半导体两端加外加电压，导体中将出现两部分电流 外电场方向 Si Si Si Si Si Si Si 电子电流 空穴电流 外电场方向 Si Si Si Si Si Si Si 空穴电流 电子电流 自由电子和空穴统称载流子 在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电－－半导体导电的特殊性质 自由电子在共价键以外运动，空穴在共价键以内运动 半导体导电的特殊性质 本征半导体中载流子的浓度 在一定温度下，本征激发和复合达到动态平衡，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 K1 — 与材料有关的常数 EGO —禁带宽度 T — 热力学温度，绝对温度 k —玻尔兹曼常数 本征半导体 中电子的浓度 空穴浓度:表示单位体积的空穴数 ( pi ) 电子浓度:表示单位体积的自由电子数（ni） 当材料一定时： 载流子的浓度主要取决于温度； 温度增加使导电能力激增。 且温度可人为控制 。 本征半导体 中空穴的浓度 价带、禁带、导带 自由电子 导带 禁带EGO 价带 空穴 载流子的能带图 价电子 能量 几种不同材料的能带图 能 量 导带 禁带 价带 能 量 导带 禁带 价带 导带 价带 导带 禁带 价带 1.21 eV 0.785 eV 0.01 eV （绝缘体） （硅） （锗） （导体） 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电 本征半导体导电能力弱，并与温度有关 本征半导体结论 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少 Si Si Si Si Si Si Si P N 型半导体 杂质半导体－－ 在硅或锗的晶体中掺入五价元素－－磷 N型半导体 Si Si Si Si Si Si Si P 多余价电子 杂质半导体－－ + 在硅或锗的晶体中掺入五价元素－－磷 自由电子是多数载子，空穴是少数载流子 在常温下即可变为自由电子 提供一个电子电离为正离子 施主原子 Si Si Si Si