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chapter14二极管和晶体管2

14.3 半导体二极管14;1. 理解PN结的单向导电性,;学会用工程观点分析问题,就是根;14.1 半导体的导电特性1;完全纯净的、具有晶体结构的半导;晶体中原子的排列方式硅单晶中的;Si Si Si Si价电子 ;Si Si Si Si ;当半导体两端加上外电压时,在半;光敏性:当受到光照时,导电能力;14.1.2 N型半导体;掺杂后空穴数目大量增加,空穴导;1. 在杂质半导体中多子的数;14.2 PN结14.2.;14.2.2 PN结的单向;2. PN 结加反向电压(反;PN 结变宽2. PN 结加;14.3.1 基本结构(a);用于集成电路制作工艺中。PN结;14.3.2 伏安特性硅管0;14.3.3 主要参数1. ;二极管的单向导电性 1.;二极管电路分析举例 定性分析:;电路如图,求:UAB例1: (;(1)取 B 点作参考点,断开;Va Vb,二极管导通,可;14.4 稳压二极管1. 符;使用时要加限流电阻3. 主要;(4) 稳定电流 IZ 、最大;14. 6 光电器件符号14;14.6.2 光电二极管 ;14.5 半导体??极管14.;NNP14.5 半导体三极管;基区:最薄,掺杂浓度最低发射区;14. 5. 2 电流分配和;晶体管电流放大的实验电路  ;晶体管电流测量数据IB(mA);CT E B????+ ;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动;14.5.3 特性曲线 ;发射极是输入回路、输出回路的公;死区电压:硅管0.5V,锗管0;2. 输出特性 共发射;晶体管有三种工作状态,因而输出;IC/mAUCE/V100 μ;3DG100晶体管的输出特性曲;当晶体管饱和时,UCE? 0,;?0 ?0 ;14.5.4 主要参数1. 电;例:在UCE= 6 V时, ;2.集-基极反向截止电流 IC;4.集电极最大允许电流 ICM;由三个极限参数可画出三极管的安;晶体管参数与温度的关系1. 温;14.6.3 光电晶体管

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