奈米压印技术.doc

奈米壓印技術 奈米壓印微影技術(nanoimprint lithography，NIL)是一種利用電子束微影技術(electron beamlithography)在母模(Template)上製作出奈米尺度圖形，然後將母模壓在塗佈有高分子材料(polymer)之壓印基材（簡稱：基材，substrate）上，以達到圖形轉移目的之微奈米機電製程技術，具有可量產和低成本等優點。 壓印是微電子元件結構複製技術中最新的方法之一。採用這種方法將一個母模或圖樣壓入一種保形材料中，這種材料將按照範本的圖形產生變形，再經過紫外曝光或者熱處理的方法就可以使其成形。與大多數微電子技術採用的傳統紫外曝光相比，壓印技術不只可以複製XY方向的圖形，還可以在垂直方向上壓出臺階和輪廓線的結構。 壓印微影可以在微米等級進行，此時壓印材料的尺度為微米為單位；也可以在奈米尺度進行，此時圖形和厚度之範圍在幾奈米到一微米之間。壓印技術在微米尺度的一種典型應用是數位相機中微鏡陣列的圖形複製。這種製程採用了一種紫外曝光的壓印材料，甚至一個完整的8英寸晶圓也可以進行一次性壓印，這種印模由帶有剛性支撐的彈性材料製成。在透明印模和下面的層進行對準之後，壓印材料通過紫外曝光進行固化或聚合。這種紫外曝光與傳統的紫外微影類似，但是增加了Z方向圖形化的功能。 奈米壓印可以複製尺度為數奈米的圖形，這也是目前所用的最小特徵尺寸。對於這種應用，範本採用堅硬的材料製作，例如1英寸見方的石英和金屬，然後把印模壓入待壓印材料中，逐漸地在整個晶圓表面上複製圖形。 奈米壓印技術 雖發展時程尚短，但與目前泛用的及研發中的奈米等級圖案製作技術 相較，其技術優勢相當顯著，發展的未來性潛力雄厚，其優勢為： - 設備成本與操作成本低 - 生產彈性大 （僅需較小範圍之潔淨空間） - 少數可輕易製作3D立體結構之微影蝕刻技術 （光學微影技術仍有製程繁複不易控制的困難） - 高分子材料直接壓印成形，避免長時間或大範圍之蝕刻步驟 - 可簡單的製作出高深寬比的結構 - 由技術與成本上考量，是未來最可能成功的奈米製作技術 壓印技術可分為以下幾種： (1)微接觸式印刷技術 (2)熱壓印技術 (3)紫外光型奈米壓印??術 1.軟微影技術：由Harvard大學的G. M. Whiteside教授所提出主要是利用自組裝(SAM)的方式，使模具?(Mold or Mask)上的pattern轉移至Substrate上 2.熱壓印技術：由Princeton大學的Stephen Y. Chou教授所提出，主要是利用改變溫度及壓力的方式， 使模具?(Mold or Mask)上的pattern轉移至polymer上 3.UV固化壓印技術：由M. Bender和M. Otto教授所提出，主要是利用UV光照射使UV-curing polymer固化定型，而使模具上的pattern轉移至?polymer上 奈米壓印技術在高分子太陽電池效率提升上的應用 自從1995年普林斯頓大學Chou教授發表利用奈米壓印技術(Nano-imprint Lithography; NIL)製作出10nm解析度的結構後，奈米壓印被視為奈米加工技術的一大創新突破，並隨即被導入記錄媒體、光學元件、生醫晶片、半導體製程與太陽電池等應用領域，其中在太陽電池的應用上，除了利用奈米壓印製作具有蛾眼結構的抗反射膜，減少太陽光在入射界面的反射損失，以提高電池元件的效率外，為因應目前高分子太陽電池效率提升的技術瓶頸與未來產品應用開發可能面臨的問題，近年來有許多的研究嘗試以奈米壓印技術為對策，評估其應用的效益與可行性。 製作具有光捕捉效應的奈米結構 受限於有機半導體之載子移動率(Carrier Mobility)太低，為使電子、電洞對能有效分離，減少再結合機率，元件主動層的厚度往往只有100 nm 左右，使得入射光被吸收使用的效率偏低。光捕捉(Light Trapping)機制的設計，可以使入射至主動層薄膜內的光行走路徑或滯留時間變長，藉此增加主動層的光子吸收效率。以幾何光學(Ray Optics)為設計基礎之光捕捉結構，包括在入光面製作集光鏡(Collector Mirrors)(9)、設計V型架構(V-shaped Configuration)的收光面(10)及基材上製作微稜鏡(Micro-prism)(11)等型式，此類結構尺寸通常為微米以上，結構加工製作方式相當具有彈性。另一類為以波動光學(Wave Optics)機制做為設計依據，包括在靠近主動層的電極上製作奈米金屬點或光柵結構(12,13)，藉以誘發散射、繞射或表面電漿子共振效應，來提升主動層的光吸收效率；或是製作週期性光子晶體排列(14)，來改變光的傳播行徑，達到光捕捉的目的。不論是奈米光柵或光子晶體結構，其吸收率提