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波动力学与量子力学.ppt
MS Contacts Schottky Diodes;半導體的work function與金屬有別，因為其fermi level 在CB之下，所以其work function
其中 為electron affinity ，也就是電子由CB表面脫離至vacuum level 所需之能量，每一半導體有其特定值，至於fermi level 與CB之差值則決定在雜質的摻入量來決定。
金屬與半導體接觸將有四種可能性的組合，半導體區分為P type 及N type，而其中金屬的work function 與半導體的work function 將會有大有小的可能性
;以金屬及N type的半導體接觸為例
當金屬的work function 大於半導體的work function 時，剛接觸時，半導體區將會有電子流入金屬區（因為femi level 較高），平衡後在半導體區因為為保持電中性自然形成正帶有正電荷之離子存在，最後形成一反向電場阻止電子流向金屬區，在半導體界面將會形成一額外之障礙位能。
該位能障礙值為金屬之work function 與半導體electron affinity 的差值。
當金屬的work function 小於半導體的work function 時則該現象不存在;4;當金屬的work function 大於半導體的work function 則所形成之界面與PN junction 的二極體相當類似
順向電壓時，降低金屬的Fermi level 使得半導體的電子容易流入金屬區
與半導體的PN diode的不同點在於只有單一種類之載子參與作用。;當金屬與半導體接觸後，若其I-V曲線呈現所謂二極體的特質，我們稱之為Schottky contact，若其I-V曲線呈現線性變化（及與電壓之正負無關）稱之為ohmic contact
;Schottky Diode;P-N junction 與Schottky diode 不同點;
schottky diode在實際值與理論值的比較上，非常接近，在高電壓區的差異源自於半導體區本身的電阻所造成。
在反向電壓區，其差異性來自於在MS diode 中沒有所謂R-G center, 而其 FB會與偏壓有少許關係;Practical contact;藉雜質濃度改變空乏區之寬度
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