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硅片常見缺陷及评估分选
光致发光成像/ Photoluminescence imaging , 简称 PL成像被公认是一种很有前途的硅片,电池片质量特性分析技术。它能依据多晶硅 as-cut wafer 的材质，对于其进行质量评估和分选。美国能源实验室(NREL)，德国Fraunhofer太阳能研究所的很多试验和研究报告都显示：高清晰度，高分辨率的PL影像能够分辨出硅晶的各种缺陷，这包括常见的Dislocation /位错（晶格）缺陷，Grain boundary / 晶界缺陷，和 Impurity /杂质缺陷。 研究报告也显示不同的缺陷影响太阳能电池性能的程度是不同的。例如Impurity /杂质缺陷能够在其后的电池片生产工艺---发射极扩散工艺中得到改善；而Crystal defect， 包括 Dislocation /位错缺陷， Grain boundary / 晶界缺陷 并不能在其后的电池片生产工艺中得以纠正。自2009年以来，德国弗劳恩霍夫太阳能研究所(Fraunhofer ISE) 开发出一套基于加权指数的评级标准，将硅片分成5个质量等级。对三???不同硅片供应商的10,000片硅片随机抽样，测试，评价和分选，结果证实，PL影像能够非常精确的评估硅片材料质量。 也许在常规电池片生产线上，顶级硅片材料的微小质量差异对电池片的转换效率没有明显的影响，但是将分选过高质量硅片用在生产高效电池片的MWT-PERC工艺上，结果证实，即使是很小的材料质量差异也能明显地对电池片的I-V特性造成影响。因此对于高效电池片生产线，基于PL成像技术进行的硅片来料检验会是一种非常有效的控制质量的方法。 基于上述原因和理论基础，新加坡维信科技 -- Industrial Vision Technology (S) Pte Ltd 开发了一套 “高清晰度，高分辨率的硅片PL成像和缺陷分析系统”。它能够有效地将硅片分选出5个不同的质量等级。;硅片的质量缺陷和分类;;;主要缺陷：
Dislocation /晶格位
错
Grain Boundaries / 晶格缺陷
;;;;A Scientific Cooled CCD Camera system
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