IGBT发展历程分解.pptVIP

;;; ● 1978年-1980年代初由几个不同机构的不同研究者几乎同时分别提出了一种开关控制像MOSFET一样简单通态电压像BJT一样低的器件（电压控制双极性器件),各自分别命名为： IGR；IGT；ComFET(Conductivity modulated FET)；MOSFET with anode region; bipolar mode MOSFET， MOSFET mode BJT等等，反映了研究者对IGBT机理的不同理解。 JEDEC(The Joint Electron Devices Engineering Council )?很早就提出一个统一的名称Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)，但直到1988年后，工业和学术界才一致采用这个名称。 ●1985年前后美国GE公司试制成功工业样品，推动了国际发展的潮流 代表人物：T.P.Chow; B.J.Baliga; M.F.Chang;可惜后来GE放弃了。;;; 总电流=(MOSFET+PiN)+ PNP + PNPN 正常状况： 扩大 减小 抑止 正偏：可以看成（MOSFET+PiN)或MOSFET控制PNP 反偏：类似于PNP;;;; (3)功耗待进一步降低 总功耗＝通态损耗＋开关损耗 VCEsat Eoff Eon ;;IGBT发展的新技术小结;;;NPT- IGBT N-区宽度选择;NPT-IGBT（续）; (a) NPT-IGBT关断特性(125℃) (b) PT-IGBT关断特性(125℃) ;;例 Infineon，Toshiba ;;;;;性能特点： 第一峰起FS作用，减小静态和动态功耗 第二峰高掺杂，以较小缓冲层厚度实现SPT总掺杂（控制PNP电流增益），比SPT的硅片更薄，VCEsat更小 双峰间隙处低掺杂，保证开关过程的软度;; IEGT（续）;;; HiGT (续);;;SPT+（续）;;;;击穿电压;;