“半导体物理学”课程教学大纲.docVIP

西安交通大学 “半导体物理学”课程教学大纲 英文名称：Semiconductor Physics 课程编码：PHYS3037 学时：64 学分：4 适用对象：电子科学与技术专业本科生 先修课程：理论物理、固体物理学 使用教材及参考书： 刘恩科等主编，半导体物理学，国防工业出版社出版 课程性质、目的和任务 本课程是微电子专业的专业骨干课程，通过学习要求学生全面地了解和掌握半导体物理的基本知识和基础理论，为后继专业课程的学习、阅读有关微电子科技资料及将来从事科研和半导技术工作奠定良好基础。 教学基本要求 本课程所使用的教材，共13章，概括可分为四大部分。第一~五章，晶体半导体的基本知识和性质的阐述；第六~九章归结为半导体的接触现象；第十~十二章，半导体的各种特殊效应；第十三章，非晶态半导体。 全部课堂教学大约需120学时。现在只安排64学时，但通过学习，又要使学生较全面地获得半导体的物理知识，除了在讲课的方式方法上作一些改进外，还应对内容作必要的精简。拟第六、十一、十三章全部不在课堂讲授，留给学生自学或参考，其他各章的内容也将作部分栅摘。 教学内容及要求 第一章 半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 回旋共振 硅和锗的能带结构 III-V族化合物半导体的能带结构 II-VI族化合物半导体的能带结构 要求将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中，以深入了解半导体中的电子状态；明确回旋共振实验的目的、意义和原理，进而了解主要半导体材料的能带结构。 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 硅、锗晶体中的杂质能级 III-V族化合物中的杂质能级 缺陷、位错能级 根据不同杂质在半导体禁带中引入能级的情况，了解其性质和作用，由其分清浅杂质能级（施主和受主）和深能级杂质的性质和作用；了解缺陷、位错能级的特点和作用。实践环节 第三章 半导体中载流子的统计分布 状态密度 费米能级和载流子的统计分布 本征半导体的载流子浓度 杂质半导体的载流子浓度 一般情况下的载流子统计分布 简并半导体 通???本章的学习，应熟练掌握课本中所阐明的基本概念和各种关系，能顺利导出有关重要基本公式，准确计算在各种不同杂质浓度和温下的费米能级位置和载流子浓度，从而对半导体性质有更深入的理解。 第四章 半导体的导电性 第一节 载流子的漂移运动 迁移率 载流子的散射 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 强电场下的效应 热载流子 半导体的导电性能（即电导率），由载流子浓度和迁移率两个因素来确定，本章主要是研究半导体的迁移率问题。迁移率的大小取决于载流子的散射。通过学习应了解几种主要散射机构的机理、散射几率与杂质浓度及温度的关系，从而明确迁移率、电导率、电阻率与杂质浓度及温度的关系。最后以半导体在强电场下的效应及耿氏效应进行定性解释。（限于学时，玻尔兹方程、电导率的统计理论不讲授也不作要求）。 第五章 非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子的寿命 准费米能级 复合理论 载流子的扩散运动 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 连续性方程式 本章是讨论在其他外界条件下在半导体中产生的附加载流子——非平衡载流子的状态及行为。实际上大多数半导体器件的工作性质都是由非平衡载流子的状态和运动行为所决定。因此在了解本章各种基本要领的基础上，应牢固掌握非平衡载流子的产生、复合、扩散等运动规律，并对总结出来的电流密度方程和连续性方程有深入的理解和灵活应用。 第六章 P-N结 对微电子专业由于在《半导体器件原理》中有详细讲述，拟不在课堂重复讲授，对非微电子专业，其内容也是重要的，此处不于列出。 第七章 金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 不管是半导体分立器件还是集成电路，都必须用金属引用线或金属互联，因此了解金—半接解的性质是必不可少的。通过本章学习，应对理想和实际的金—半接触能带图应深入理解，在此基础上，对其电流传输理论的几种模型建立，应用和推导要有所了解，并掌握实现良好欧姆接触和整流接触的原理和方法。 第八章 半导体表面与MIS结构 表面态 表面电场效应 MIS结构的电容—电压特性 硅—二氧化硅系统的性质 半导体表面问题曾是阻碍制作优良性能半导体器件的关键问题。随着半导体表面问题的研究与解决，使半导体器件特别是硅器件的发展开始了一个新阶段，不仅使器件性能变得优越，而利用表面特性发展了新型器件，如MOS器件。通过学习，在认识表面状态的基础上，对理想MIS结构的表面电场效应、电容电压特性有深刻理解，对实际MIS结构中出现的各种情况进行分