第2章 2.5-2.8.docVIP

PAGE  普通高等教育“十一五”国家级规划教材 《变频器原理及应用（第3版）》 电子教案 PAGE  第 PAGE 5页 共 NUMPAGES 5页 中等职业教育课程改革国家规划新教材 《电子技术基础》 电子教案  PAGE 1 章节课题第2章 变频器常用电力电子器件（2.5～2.8）课时2 教 学 目 的1. 了解功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能功率模块的外形和器件符号。 2. 掌握功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能功率模块的主要参数。重点难点重点难点：功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能率模块的主要参数。教学方法联系实际让学生了解功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能率模块的应用，调动学生的学习积极性。本次课老师要准备好功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能率模块，进行课堂演示，结合实际讲解理论知识，尽可能达到好的教学效果。教具教具：功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能率模块作业习题2-6；习题2-7：习题2-9；习题2-10 课 后 小 结功率场效应晶体管（P-MOSFET）是单极型全控器件，属于电压控制，驱动功率小。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是复合型全控器件，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等优点，是功率开关电源和逆变器的理想功率器件。IGCT是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的，是较理想的兆瓦级、中压开关器件，非常适合用于6kV和10kV的中压开关电路。智能功率模块（IPM）是将高速度、低功耗的IGBT，与栅极驱动器和保护电路一体化，IPM具有智能化、多功能、高可靠、速度快、功耗小等特点。  教学内容 2.5 功率场效应晶体管（P-MOSFET） 2.6 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.7 集成门极换流晶闸管（IGCT） 2.8 智能功率模块(1PM) 知识目标： 1. 了解功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能功率模块的外形和器件符号。 2. 掌握功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能功率模块的主要参数。 技能目标： 会使用万用表检测功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、智能功率模块的好坏。 教学内容 2.5 功率场效应晶体管（P-MOSFET） 2.5.1 功率场效应管的结构 功率场效应晶体管的导电沟道也分为Ｎ沟道和Ｐ沟道，栅偏压为零时漏源之间就存在导电沟道的称为耗尽型，栅偏压大于零（Ｎ沟道）才存在导电沟道的称为增强型。 2.5.2 P-MOSFET的工作原理 当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅源之间电压为零或为负时，Ｐ型区和Ｎ-型漂移区之间的ＰＮ结反向，漏源之间无电流流过。 如果在栅极和源极加正向电压UGS，由于栅极是绝缘的，不会有栅流。但栅极的正电压所形成电场的感应作用却会将其下面Ｐ型区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的Ｐ型区表面。当UGS大于某一电压值UT时，栅极下面Ｐ型区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使Ｐ型半导体反型成Ｎ型半导体，沟通了漏极和源极，形成漏极电流ID。电压UT称为开启电压，UGS超过UT越多，导电能力越强。漏极电流ID越大。 教学内容 2.5.3 P-MOSFET的特性 １. 转移特性 ２．输出特性 ３. 开关特性 2.5.4 功率场效应晶体管的主要参数 1）漏源击穿电压BUDS ；2）漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM 3) 栅源击穿电压BUGS 4)开启电压UT 5) 极间电容 2.5.5 Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的栅极驱动 1）触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证P-MOSFET的可靠触发导通。 2）开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高P-MOSFET的开关速度。 3）P-MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。 2.5.6 P-ＭＯＳＦＥＴ的保护 1) 工作保护; 2) 静电保护 2.6 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.6.1 IGBT的结构与基本工作原理 从结构示意图可见，IGBT相当于以GTR为主导元件、以MOSF