制绒工艺说明.docVIP

工艺说明名称晶体硅太阳电池编 号制绒图号目的 去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧化层。 在单晶硅片表面制备一个反射率在10%～20%的织构表面。 原理 在低浓度NaOH水溶液中，硅片表面发生各向异性腐蚀，产生密集的金字塔型角锥体结构。 化学反应方程式：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑。 操作规程 装片 戴好防护口罩和干净的PE手套。 将仓库领来的硅片从箱子中取出，以400片为一个生产批次把硅片装入“硅片盒”。 在“工艺流程卡”上准确记录硅片批号、生产厂家、电阻率和投入数。 在“工序产质量报表”上详细记录领料数、实际投入数、产出数，有缺片现象时要在缺片记录上记录缺片的批号、厂商、箱号和缺片数。 装完一个生产批次后把“工艺流程卡”随同硅片一起放在盒架上，等待制绒。 开机 开工艺排风；打开压缩空气阀门；打开设备进水总阀。 打开机器电源，待设备自检完成并显示正常后，在手动操作界面下，手动打开槽盖，检查槽盖的灵活性。检查机械手运行是否正常。 制绒清洗机共有10个清洗槽，其中7、8、9、10号槽中装满去离子水；1、2、3、4，5，6号槽中是化学腐蚀液。检查槽内水位并调节至规定的液位，检查液位开关，检查加热传感器，补液电磁阀，检查并确保制绒机旁的排废液阀门开通。 按照本文件3.3条的规定配制各腐蚀槽的水溶液。 工艺槽温度设定和启动加