薄膜生长初期形貌的计算机模拟与改进.pdfVIP

第 卷 第 期 材 料 科 学 与 工 程 20 3 总 第 79 期 Voi . 2 0 No . 3 Materiais Science Engineering Sep . 2 0 0 2 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 文章编号：1004-793X（2002）03-0393-03 薄膜生长初期形貌的计算机模拟与改进 刘 涌，宋晨路，韩高荣 （浙江大学材料与化工学院，浙江 杭州 310027） 【摘 要】 本文模拟了在低温基底上超薄膜沉积初期表面形貌。文章模拟多个沉积原子同时移动的生长过 程，引入了宏观量沉积流量影响。在此基础上讨论了各向异性的影响作用，并改进了模型，修改了基底吸附位置 的排列方式，从而获得了与实验结果更相近的图样。 【关键词】 计算机模拟；初期形貌；沉积流量 中图分类号：TB43，TP391.9 文献标识码：A Simulation and Improvement of the Appearance of the Film Growth in Early Stage LIU Yong，SONG Chen-lu，HAN Gao-rong （College of Materials Science and Chemical Engineering，Zhejiang University，Hangzhou 310027，China） 【Abstract】 In this paper，the appearance of the fiim growth in eariy stage is simuiated. In order to soiute the probiem that the motion of pioy-atoms cannot be simuiated，the new arithmetic is introduced. The effect of the anisotropism diffusion is discussed. Based on the new modei，the resuits of the simuiations are consisten with the experiments. 【Key words】 computer simuiation；appearance in eariy stage；fiux 1 引 言 2 模 型 薄膜技术在电子器件的制备过程中起着重要的作用。 模拟实验在 360 X 360 的方格点阵上进行，整个点阵作 薄膜的生长过程对此种电子器件的质量有着重要的影响， 为???附的基底，每一个阵点作为一个稳定位置可以吸附一 因此对薄膜生长机制的研究有着重要的理论和实用价值。 个沉积原子。被吸附的沉积原子在基底表面可以向周围八 计算机模拟技术作为新的研究手段的引人，使人们可以更