模电CH2选编.ppt

;§2.1 晶体管及其特性;1） 半导体三极管的结构; 双极型半导体三极管有两种类型: NPN型和PNP型。;基区很薄，掺杂浓度很低 集电结面积大，集电区掺杂浓度低 发射区 掺杂浓度高; 半导体三极管工作在放大工作状态时一定要加上适当的直流偏置电压：（以NPN型为例）;;;; 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。;; 三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。; 输入特性曲线—— iB=f(uBE)? uCE=const 输出特性曲线—— iC=f(uCE)? iB=const; 因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除uCE的影响，在讨论输???特性曲线时，应使uCE=const(常数)。;(2)输出特性曲线; 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V uBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子基本上 都可以被集电区收集，此后 uCE再增加，电流也没有明 显的增加，特性曲线进入与 uCE轴基本平行的区域。 ;UCE/V;例1：测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。;例2：用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。; (1)特征参数 1共发射极直流电流放大系数 =（ IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? uCE=const ;;;当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。; 2集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系： ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。;图5 ICEO在输出特性曲线上的位置;(2)极限参数①最大集电极电流ICM;②最大集电极耗散功率PCM; 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和过压区。;国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B ; 表1 三极管的参数;半导体三极管图片;例1: 电路如图所示，已知UCC=6V， UBE=0.6V, RC=3kΩ, RB=10kΩ, 当UI= 3V，1V，-1V时，晶体管处于何种工作区？设三极管饱和时的管压降UCES=0V, β=25 。;§2.3 场效应半导体三极管;（1）场效应管的特点 ;1）结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) ;结型场效应管 ; 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。; 当栅极加有电压时，若0＜UGS＜UGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能形成漏极电流ID。;;;b．漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用; 当UDS增加到使UDG=UGS(th)时，沟道如图(b)所示。这相当于UDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况称为预夹断。;输出特性曲线———ID=f(UDS)?UGS=const; 当UGS＞0时，将使ID进一步增加。UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。;N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线; P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。; JFET的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 ; 根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下