第14章二极管和晶体管材料.ppt

电 工 技 术;电 子 技 术; ;教 材 及 参 考 书;数字量：其变化在时间上和数值上都是离散的。;电子电路及其处理的信号; 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;第 14 章 二极管和晶体管; 本章要求： 1. 理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 2. 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3. 会分析含有二极管的电路。;14.1 半导体的导电特性;1. 本征半导体; 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;3）在绝对零度 （-273oC）或没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。;可见因热激发（本征激发）而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。;在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。;本征半导体的导电机理;2. 杂质半导体;+4;2）P型半导体（空穴型半导体）;归纳; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;杂质半导体的示意表示法;一、 PN 结的形成;24;P型半导体;漂移运动;－;?空间电荷区中没有载流子。;二、PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结正向偏置;PN结反向偏置;PN结反向偏置;PN结的单向导电性;14.3 二极管;小功率二极管;二极管结构类型;二、 伏安特性;u;温度对二极管伏安特性的影响;三、 主要参数;定性分析：判断二极管的工作状态;二极管的应用举例;R;电路如图示：已知 VA=3V VB=0V 求：VF=？;本征半导体的导电机理;3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。;PN结的单向导电性;二极管的伏安特性;稳压二极管;14.4 稳压二极管;U;1. 稳定电压UZ;4. 动态电阻rZ;稳压管与二极管的主要区别; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。;UO;已知图示电路中，UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA，负载电阻RL=600 Ω，求限流电阻R的取值范围。;14. 5 晶体管;晶体管的分类;一、 基本结构;基区：较薄，掺杂浓度低;晶体管放大的工作条件;发射结正偏，集电结反偏;共发射极接法 放大电路;晶体管内部载流子的运动及电流分配;EB;三、晶体管的共射特性曲线;死区电压 硅管0.5V 锗管0.1V;（2）输出特性曲线;IC(mA );IC(mA );IC(mA );特性归纳;四、 主要参数;2.集-射极反向截止电流ICEO;3.集-基极反向截止电流ICBO;6.集电极最大允许功耗PCM;IC;例6 测得电路中各晶体管各极的电位，判断各管的工作状态;例7：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的 参数如表所示，请选用一只管子。;例8：关于PNP型管子及其电路;14.6 光电器件;注意：光电二极管工作在反向状态！;注意：光电三极管工作时，发射结正偏，集电结反偏！;特点：输入输出电气隔离，抗干扰能力强； ???输信号失真小，工作稳定可靠。;第14章小结提纲