电路与电子学4.2探讨.pptVIP

4.2 半导体二极管;1.半导体二极管的结构和类型;半导体二极管外型图;V;① 正向特性 死区电压：硅管 0.5V 锗管 0.1V 线性区：硅管 0.6V～1V 锗管 0.2V～0.5V 对温度变化敏感： 温度升高→正向特性曲线左移 温度每升高1℃→正向压降减小约2mV。;② 反向特性 反向电流：很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 受温度影响大： 温度每升高10℃→ 反向电流增加约1倍。 ③ 反向击穿特性 反向击穿UBR:几十伏以上。;3 二极管的主要参数;2）、交流电阻rD rD定义为：二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比，即; ;4. 二极管的等效电路及应用 ;⑴ 理想二极管等效电路;⑵ 考虑正向压降的等效电路;⑶ 二极管电路的分析方法;由于二极管具有单向导电性，因此利用它可以进行交流电到直流电的转换。这样的电路叫整流电路(Rectifier Circuits)。图 (a)就是一个实用的单相桥式全波整流电路，常应用于直流稳压电源中。四个二极管Dl ~ D4接成电桥形式。 设交流电源u为：;在一般整流电路中，设UmUD，因此常近