硅光电池特性研究选编.pptVIP

硅光电池特性研究;[研究对象];[实验目的];[实验仪器];[PN结的形成及单向导电性];零偏;反偏;正偏;[LED工作原理];硅光电池的工作原理 ;没有光照时;流过PN结两端的电流I可由式（3）确定： ;室温300 K下，e/kT=26 mV。从式中可以看到，当光电二极管处于零偏时，V=0 V，流过PN结的电流I= IP；当光电二极管处于反偏时（本实验取–5 V），流过PN结的电流I= IP–IS。因此，当光电二极管光电池用作光电池时，光电二极管必须处于零偏，而用作一般的光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。;光电池SPC处于零偏或反偏状态时，产生的光电流IP与输入光功率Pi有以下关系： ;左部是光电信号接收端的工作原理框图，光电池把接收到的光信号转变为与之成正比的电流信号(μA级)，再经电流电压转换器(I/V转换器)把光电信号转换成与之成正比的电压信号(mV级)。比较光电池零偏和反偏时的信号，就可以测定光电池的IS。当发送的光信号被正弦信号调制时，则光电池输出电压信号中将包含正弦信号，据此可通过示波器测定光电池的频率响应特性。;光电池的负载特性; 一、 硅光电池零偏和反偏时光电流与输入光信号关系特性测定 将硅光电池输出端连接到I / V转换模块输入端，将I / V转换模块输出端连接到数字电压表头的输入端，调节发光二极管静态驱动电流，分别测定光电池在零偏和反偏时光电流与输入光信号关系。在0~20mA内等间距各测10组数据。比较零偏和反偏时的两条曲线，求出光电池的饱和电流Is 。;二、 硅光电池池输出拉接恒定负载时产出的光伏电压与输入光信号关系测定 将功能转换开关打到“负载”处，将硅光电池输出端连接恒定负载电阻（R取10KΩ）和数字电压表，从0~20mA调节发光二极管静态驱动电流，测定光电池输出电压随输入光强度的关系曲线。; 三、 硅光电池伏安特性测定 输入光强度不变时（驱动电流取15mA），测定当负载在 0 kΩ～100kΩ的范围内变化时，光电池的输出电压随负载电阻变化关系曲线。;四. 硅光电池的频率响应特性测定;发光强度/I;2.硅光电池输出连接恒定负载时产生的光伏电压与输入光信号关系测量;3.硅光???池伏安特性测量;4.SPC频率响应特性;注意事项;硅光电池的应用