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数字电子技术—08第7章半导体存储器
第七章 半导体存储器7.1 ;分类：掩模ROM可编程ROM ;1. ROM结构原理图主要指标;2. 工作原理ROM是组合逻辑;3. 看待ROM（存储器）的三;地 址数 据A1A0D3D;编程时VCC和字线电压提高写入;7.2.3 可擦除可编程只读存;5V5VGND导通状态:浮栅上;(1) 擦除（去除掉浮栅中的电;（a）均匀隧道编程原理 ;二、EEPROM/E2PROM;EEPROM的编程过程：先擦除;三、快闪存储器Flash Me;擦除（写0）类似E2PROM，;NOR Flash同一位线上的;1GB NAND Flash ;NOR Flash和NAND ;虽然，ROM可读也可写，但写入;见备注 （a）单比特单元 ;Kingston 1G SD ;7.3 随机存储器（RAM）;1. 六管CMOS静态存储单元;动态存储单元的电路结构还可以更;内存有三种不同的频率指标，它们;数据预取技术原理;256MB DDR SDRAM;DRAM芯片组成的内存模块;7.4 存储器容量的扩展7.;例：用256字×8位RAM芯片;各片地址分配情况：000H0F;7.5 用存储器实现逻辑函数;例子7.5.2 试用ROM实现;固定的m0m15可???的ABCD;7.5.2 可编程逻辑器件—;PLD设计流程图;PLD按照编程实现原理不同可分;2. 基于查找表的PLD (F;3. CPLD结构原理图;4. CPLD宏单元原理图;5. FPGA结构图;6. FPGA逻辑单元LE原理;6. I/O单元原理图;题[7-3] 某台计算机内存设;题[7-4] 试用4片4k×8;题[7-5] 试用4片2114;LGS (GM) – SDRA
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