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第1章电力电子器件选编
第1章 电力电子器件 ;定义:在电力电子电路中能实现电能的变换和控
制的开关电子器件称为电力电子器件(Power
Electronic Device)。; 在对电能的变换和控制过程中,电力电子器件可以抽象成理想开关模型,它有三个电极,其中A和B代表开关的两个主电极,K是控制开关通断的控制极(门极)。它只工作在“通态”和“断态”两种情况,在通态时其电阻为零,断态时其电阻无穷大。;二、基本特性:;1.1.2 电力电子器件的分类;二、按控制信号的性质不同又可分为两种 ;表1.1.1 常用电力电子器件
的主要特性及其应用领域;1.2 电力二极管 ;1.2.1 电力二极管及其工作原理;二、PN结与电力二极管工作原理;1.2.2 电力二极管的特性与参数;1、电力二极管的伏安特性;2、电力二极管的开关特性;2、电力二极管的开关特性;2、电力二极管的开关特性;延迟时间:td= t1- t0 电流下降时间:tf= t2- t1
电力二极管的反向恢复时间:trr= td+ tf; 在开通过程中,由于外电路电感的存在,电力二极管
两端也会出现峰值电压UFP,经过一段时间才接近稳态值UF
(约1~2V)。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。;(1)普通二极管:又称整流管(Rectifier Diode),多用于开关频率在1KHZ以下的整流电路中,其反向恢复时间在5μs以上,额定电流达数千安,额定电压达数千伏以上。
(2)快恢复二极管:反向恢复时间在5μs以下的称为快恢复二极管(Fast Recovery Diode简称FDR)。快恢复二极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复二极管。前者反向恢复时间为数百纳秒,后者则在100ns以下,其容量可达1200V/200A的水平, 多用于高频整流和逆变电路中。
(3)肖特基二极管:是一种金属同半导体相接触形成整流特性的单极型器件,其导通压降的典型值为0.4~0.6V,而且它的反向恢复时间短,为几十纳秒,但反向耐压在200V以下,常用于高频低压开关电路或高频低压整流电路中。;3、电力二极管的主要参数 ;器件长期运行在规定管壳温度和散热条件下允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。;第1章;第1章;(2)反向重复峰值电压URRM; 指器件中PN结不至于损坏的前提下所能
承受的最高平均温度。TjM通常在125~175℃
范围内。 ;第1章 电力电子器件;1.3 晶闸管; 晶闸管(Thyristor)包括:普通晶闸管(SCR)、
快速晶闸管(FST)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶
闸管(RCT) 、可关断晶闸管(GTO) 和光控晶闸管
等。
由于普通晶闸管面世早,应用极为广泛, 因
此在无特别说明的情况下,本书所说的晶闸管都
为普通晶闸管。
; 晶闸管:是硅晶体闸流管的简称,俗称可控
硅整流管(Silicon Controlled Rectifier), 简称
SCR。
由于它电流容量大,电压耐量高(目前生产水平:
4500A/8000V)以及开通的可控性已被广泛应用于
相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域, 成
为特大功率、低频(200Hz以下)装置中的主要器件。
;外形封装形式:
晶闸管有三个电极,阳极A、阴极K和门极(或称栅极)G。 ;螺旋式晶闸管紧栓在铝制散热器上, 采用自然散热冷却方式。
平板式晶闸管由两个彼此绝缘的散热器紧夹在中间, 散热方式可以采用风冷或水冷, 以获得较好的散热效果。;2、晶闸管的工作原理;2、晶闸管的工作原理;2、晶闸管的工作原理;(2)阻断:当晶闸管A 、K间承受
正向电压,而门极电流Ig=0时, 上述T1
和T2之间的正反馈不能建立起来,晶闸
管A 、K间只有很小的正向漏电流,处
于正向阻断状态。 ;1.3.2 晶闸管的特性与主要参数; 类似二极管的反向特性。
晶闸管处于反向阻断状态
时,只有极小的反向漏电流流
过。
当反向电压增到反向击穿
电压时,会导致晶闸管反向击
穿,使其发热损坏。;IG=0时,施加正向阳极电压,处于正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过,当正向阳极电压达到正向转折电压UBO时,漏电流急剧增大,器件开通。
随着门极电流IG的增大,正向转折电压迅速下降。;晶闸管正向导通状态的特性和二极管的正向特性相似。
导通后,若阳极电流IA降至维持电流IH以下,则晶闸管又回到正向阻断状态。;2.晶闸管的开关特性;延迟时间td:门极电流阶跃时刻开始,到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。
上升时间tr:阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。
开通时间tgt:以上两者之和,tgt=td+tr。普通晶闸管延迟时间为0.5
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