第5章 硅电容式微传感器.pptVIP

第5章 硅电容式微传感器 ;5.1 典型传感器结构及工作原理 ;5.1.1 微型硅加速度计 ;⒈梁-质量块式结构 ;⒉叉指式结构 ;;常见微梁;;;;;;表5-1 ADXL05主要性能 ;5.1.2 硅集成压力传感器 ;;5.1.3 CMOS集成电容湿度传感器 ; ⒈湿度传感器的感湿介质和结构 ;;⒉湿度传感器实例 ; ⑵三明治叉指型结构 ;5.2 设计、建模与仿真 ;5.2.1 硅微加速度传感器设计 ;⒈梁-质量结构设计 ;5.2.2 硅集成压力传感器设计 ;圆膜挠度计算;5.2.3 等效电学模型 ;;5.3 典型接口电路 ;5.3.1 CAV系列接口电路 ;5.3.2 XE2004接口电路 ;5.3.3 MS3110接口电路;MS3110采用调制解调的电容检测方法。MS3110 芯片内部能够产生2路幅值相同、相位相反的方波信号作为输出电容的载波信号, 实现对电容变化的调制, 调制信号通过电荷积器将电容变化转换为电压变化, 采样保持电路对调制信号进行解调, 经过低通滤波、增益放大就得到与电容差成正比的电压信号。;5.4 检测与质??保证 ;5.4.1 加速度计的静态校准 ;图5-20 　XJ2-1线加速度模拟台;5.4.2 硅压力传感器的可靠性测试 ; 提高硅压力传感器可靠性的措施通常有： ①在一定的功能下，其设计方案愈减愈好，器件数量愈少愈好； ②对器件实行减额使用，减轻其负荷量等。