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第三章 经典合成方法;3.1 化学气相沉积Chemical Vapor Deposition (CVD);;切削工具方面的应用 模具方面的应用 耐磨涂层机械零件方面的应用 微电子技术方面的应用 超导技术方面的应用 其他领域的应用;（1）沉积反应如在气-固界面上发生则沉积物将按照原有的固态基底的形状包覆一层薄膜； （2）采用CVD技术也可以得到单一的无机合成物质，并用以作为原材料制备； （3）如果采用某种基底材料，在沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具； （4）在CVD技术中可以生成晶体或者粉末状物质，甚至是纳米超粉末或者纳米线。;基本要求： （1）反应物最好是气态，或在不太高的温度就有相当的蒸气压，且容易获得高纯品； （2）能够形成所需要的材料沉积层，反应副产物均易挥发； （3）沉积装置简单，操作方便，工艺上具有重现性，适于批量生产，成本低廉。;CVD技术的热动力学原理;CVD 装置;;CVD样品; 加热底物至所需温度，通入反应物气体使之发生分解，在底物上沉积出固体材料。 关键：反应源物质和热解温度 例如，氢化物(Hydrides)、羰基化合物(Carbonyl)、 有机金属化合物(Organometallic compounds) SiH4(g) Si(s)+2H2(g) (650°C) Ni(CO)4(g) Ni(s)+4CO(g) (180°C) Ga(CH3)3+AsH3 GaAs+3CH4 (630°C) ; 元素的卤化物、羰基卤化物或含氧化合物在还原性气体氢气的存在下，还原得到金属单质。 SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) (1200°C) WF6(g) + 3H2(g) W(s) + 6HF(g) (300°C) MoF6(g)+ 3H2(g) Mo(s) + 6HF(g) (300°C) SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g) (1200°C) ——工业制备半导体超纯硅的基本方法; 元素的氢化物或有机烷基化合物常常是气态或易于挥发的液体或固体，同时通入氧气，反应后沉积出相应于该元素的氧化物薄膜。 SiH4(g) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) (450°C) 4PH3(g) + 5O2(g) 2P2O5(s) + 6H2(g) (450°C) SiCl4(g)+2H2(g)+O2 (g) SiO2(g)+4HCl(g) (1500°C); 两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中作用。 要求：反应的前躯体挥发性强，气态反应性强?? SiCl4(g)+ CH4(g) SiC(s)+ 4HCl(g) (1400°C) TiCl4(g)+ CH4(g) TiC(s)+ 4HCl(g) (1000°C) BF3(g) + NH3(g) BN(s) + 3HF(g) (110°C) 3SiCl2H2+4NH3(g) Si3N4 (s)+6H2(g)+6HCl(g) (750°C); Disproportionation reactions are possible when metals can form volatile compounds having different valence states depending on the temperature. 300°C 2GeI2(g) Ge(s) + GeI4 (g) 600°C Ge, Al, B, Ga, In, Si, Ti, Zr, Be, Cr 的卤化物 lower-valent state (stable at high T) ; 把所需要的沉积物质作为反应源物质，用适当的气体介质与之反应，形成一种气态化合物，这种气态化合物借助载气输送到与源区温度不同的沉积区，再发生可逆反应，使反应源物质重新沉积出来。