硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化.pdfVIP

高技术通讯 2003. 7 硅衬底 集成电路螺旋电感品质因数 的优化 ! RF 0 潘 瑞! 毛军发 王 彬 （上海交通大学电子工程系 上海 ） 200030 摘 要 详细分析了 集成电路硅衬底螺旋电感（ ）的一种物理模型，该模型考虑 RF SI OS 了衬底效应。通过 仿真，得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数 的影响。在 MATLAB G 此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化，实现了在设计要求不变的前提下 螺旋电感 的优化，并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式。采用优化结果进 G 行设计，可以使 得到明显提高。 G 关键词 ，品质因数，衬底损耗，优化 SI OS 何准确地反映高频时的一些复杂现象，例如涡旋电 引 言 流效应和硅衬底损耗。由于电感只是储存磁场能 0 量，因而通过欧姆损耗消耗能量的电阻和储存电场 硅衬底螺旋电感（ ）是影响许多 集成电 能量的电容就成为寄生参数。图 所示为文献［ ］ SI OS RF 1 3 路性能的关键部分，例如压控振荡器、无源滤波器 给出的 的物理模型。其中， 和 是串联 SI OS LS RS ［ ，］ 等 1 2 。由于缺乏一种准确、简单的 模型，为 电感和电阻， 是导体间的电容， 是电感与硅衬 SI OS CS Coa 集成电路的设计人员带来了不便。在过去的几 底间的电容， 和 表示硅衬底的电容和电阻。 RF CSi RSi 年中，关于 模型研究的论文有很多［ ］，如利 下面对这些参数进行详细说明。 SI OS 2-4 用微带线理论获得电感模型，利用部分元等效电路 方法得到电感的可扩展模型等。这些模型大多是通 过数值方法或曲线拟合的方法得到，因而相对不准 确或者计算量很大，而且当电感的版图尺寸变化较 大时不能适用。为满足实际需要，无疑应建立一种 更好的便于 设计及优化的物理模型。 SI O