第3章晶体管应用电路[下半部分12学时]模拟电子技术与应用.pptVIP

第3章 晶体管应用电路 (共20学时) 学习目标: 　 晶体管(即半导体三极管)是具有放大作用的半导体器件，它是各种类型放大电路中的重要组成部分。通过本章学习，主要要掌握以下内容： 上半部分（8学时）： 1. 晶体管的基本特性及性能检测； 2. 晶体管放大电路的分析方法； 3. 共射、共集、共基三种放大器性能特点； 下半部分（12学时）： 4. 多级放大器的分析； 5. 差分放大器原理； 6. 功率放大器结构与原理； 7. 场效应管放大器的结构与原理。; 本章内容 3.1 三极管工作原理(4学时) 3.2 三极管共射放大器(2学时) 3.3 三极管共集与共基放大器(2学时) 3.4 多级放大器(2学时) 3.5 放大器主要性能参数的测试(2学时) 3.6 差分放大器(2学时) 3.7 低频功率放大器(2学时) 3.8 场效应管放大器 (4学时) 3.9 项目设计(放大电路的设计) 本章小结;3.4 多级放大器;3.4.1 直接耦合多级放大器 ;直接耦合多级放大器的特点 1) 由于直接耦合不需接入电抗性元件，因此，结构简单便于集成，并且具有较好的频率特性。 2) 由于采用直接耦合方式，因此既可传递交流信号，又能传递变化缓慢的信号或直流信号。 3) 由于直接耦合前后级静态工作点相互影响。因此，存在“零点漂移现象”（请参阅相关资料）。;例3-5　如图所示两级放大器。V1、V2为硅管β1＝β2＝60，Vcc=15V，(1)说明电路的耦合方式；(2)说明各级电路的组态;(3)计算静态参数IC1、UCE1、IC2、UCE2，（忽略基极电流IB）。 ;阻容耦合的特点 1) 各级静态工作点彼此独立。 2) 耦合电容不能传递缓慢信号或直流信号。 3) 由于集成电路中制造较大容量电容很困难，因此集成电路中不采用阻容耦合方式。;例3-6 在图2-37a所示电路中，β1＝β2＝50，rbe1＝1kΩ，rbe2＝0.2kΩ，求：（1）两级放大器的电压放大倍数Au；（2）两级放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro 。 ;;;图3-39 三级阻容耦合放大电路; ① 写出各级输入电阻式：由图3-39 可知：; 第3级是基本共射放大电路，其电压增益：;;3.5 放大器主要性能参数的测试 ;3.5 放大器主要性能参数的测试 ;3.5 放大器主要性能参数的测试 ;3.6 差分放大器 ; 产生零点漂移的原因很多，任何元器件参数的变化、电源的波动都将会造成输出电压的漂移。但是实践证明，温度变化是造成零漂的主要原因，也是最难克服的因素。这是因为电源电压的波动可以采取稳压电源来解决；电阻值的变化，可以通过老化来提高来提高其稳定性；只有半导体三极管，由于它对温度的敏感是固有的特性，这种影响就成了主要因素。;;3.6.3 几种常见的差分放大电路 ;2. 双电源长尾电路;3. 具有恒流源的差分放大电路;3.6.4 差分基本放大电路的几种接法 ;;1.甲类;2.乙类;3.甲乙类;4.丙类;——无输出耦合电容功放;2.OCL功率放大器的主要技术参数;(3)效率η;(4)管耗PC; 例3-8. 已知乙类互补对称功放VCC＝VEE＝24V、RL＝8Ω，试估算：(1)该电路最大输出功率Pom ；(2)最大管耗PCM；(3)说明该功放电路对功率管的要求。 解（1） ＝36W (2) PCM≈0.2Pom＝0.2×36=7.2W (3) a)选择功率管时为保证管子不被烧坏，要求管子集电极 最大允许损耗功率 0.2P0max=7.2W; b)处于截止状态的管子，其集－射反向击穿电压 　 U(BR)CEO 2VCC=48V; c)功率管最大允许集电极电流　ICM VCC/RL=3A;——克服交越失真;2.OTL功率放大器的主要技术参数;;　1.最大不失真输出平均功率的测量 　　在图3-48所示电路输入端加入f＝1kHZ正弦信号ui，并逐渐增大ui幅度，用示波器观察负载两端输出电压的波形，直到输出波形幅度最大而且不出现削波失真为止，用电子毫状表测量输入、输出电压Ui、Uo 。在最大不失真情况下，电路的实际输出平均功率为（负载RL＝8Ω）;;3.8场效应管f放大器;3.8.1场效应晶体管的基本特性;3.8.1场效应晶体管的基本特性;3.8.1场效应晶体管的基本特性;3.8.1场效应晶体管的基本特性;3.8.1场效应晶体管的基本特性;3.8.1场效应晶体管的