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第5章功率放大电路2008-12
第5章 功率放大电路; 作业;重点;5.1 功率放大电路概述;5.1 功率放大电路 概述;（1） 输出功率尽可能大;（2） 转换效率η要高 ;（3） 非线性失真要小 ; 功放电路通常是根据功率管静态工作点Q的不同选择来进行分类的。 ;5.2 单管甲类功率放大电路;1. 静态时;2. 动态时; 接上负载电阻，调节晶体管的静态电流，静态工作点Q不变，电流电源输入功率不变，输出电压uo’，输出功率下降，效率变低。 ; 甲类功放电路中，尽管静态条件下输出功率为零，电源仍然提供功率。这些功率全部消耗在器件（和电阻）上，并转换为热能的形式消耗。
在理想状态下，甲类功放电路的最高效率只能达到50％。因此，甲类功放电路没有多大的实用价值。;5.3 互补对称推挽功率放大电路 ; 5.3.2 甲乙类互补对称功放电路 ;2.甲乙类互补对称功放电路 ;UBE扩大电路; VD1、VD2和R2的支路用于给两个晶体管加上不大的静态偏置，两个晶体管在静态下均处于导通或者微导通状态，从而解决了交越失真，又可减小损耗，提高效率。; 每一个晶体管在信号的一周期内导通时间大于半周，即导通角 ;输入电压 ; 晶体管VT1和VT2的输出电压、电流的波形可以形成 “组合输出特性”。 ;在组合输出特性中需要注意;1．输出功率Po及最大不失真输出功率(Po)M ;2．直流电源提供的平均功率PVCC;3．效率η ;4．晶体管的选择 ;（3）晶体管最大功耗 (PT)M;29;晶体管的选择必须满足下列条件 ;甲乙类功放电路如图所示，已知 ;5.4 实际的功率放大电路 ;单个电源供电 ;5.5 功放电路晶体管的散热和二次击穿 ; 当c－e之间的电压增大到一定的数值时，晶体管将产生击穿现象。当IB越大，击穿电压越低。这种击穿叫做“一次击穿” 。;5.5.2 二次击穿现象 ;小结
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